额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMD13,115 是由 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用适合表面贴装技术的 6-TSSOP 封装。该元件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有预偏压特性,适用于广泛的应用领域,特别是在低功耗电子电路中。其额定功率为 300mW,集电极电流(Ic)最大可以达到 100mA,集射极击穿电压(Vce)最高可达 50V。
基本参数:
增益与饱和压降:
基极与发射极电阻:
截止电流:
封装与安装:
PUMD13,115 数字晶体管非常适合低功耗和静态电流控制应用,可以广泛应用于以下场景:
微控制器接口:在微控制器设计中,该元件可以作为输入输出控制开关,有效隔离微控制器与负载之间的连接,避免高功耗带来的风险。
信号放大:由于其优良的增益特性,可以在模拟信号放大器中进行信号放大。
电源管理:在电源管理系统中,此晶体管能够用于开关电源、线性稳压器等设计中,确保设备稳定工作。
逻辑电路:PUMD13,115 也可以在数字逻辑电路中使用,提供高效的逻辑电平转换和信号调理功能。
高开关速度:该数字晶体管的快速开关性能使其非常适合高频率应用,保证了信号的稳定传输。
低功耗特性:其额定功率为 300mW,能够有效减小电源消耗,符合现代电子产品对能效的需求。
小型化与集成化设计:采用 6-TSSOP 封装,使得其在空间受限的应用中也能很好地适应,适合现代设备对小型化和轻量化的要求。
可靠性:Nexperia(安世)的品牌声誉确保了该产品质量的稳定和可靠性,适合长时间、连续工作的工业和消费类电子应用。
总体来说,PUMD13,115 数字晶体管凭借其良好的电气性能和多功能特性,成为各类电子设备设计中不可或缺的组成部分。它不仅适合于目前的微电子技术要求,也为未来的更高性能、更低功耗的应用打下了良好的基础。伴随电子产品日益向智能化和低功耗方向发展,这款产品的市场前景也将更加广泛。