PUMD13,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PUMD13,115

商品编码: BM0058399016
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.038g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
10743(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.771
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.771
--
200+
¥0.257
--
1500+
¥0.16
--
3000+
¥0.111
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMD13,115参数

额定功率300mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

PUMD13,115手册

PUMD13,115概述

产品概述:PUMD13,115 数字晶体管

一、产品简介

PUMD13,115 是由 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用适合表面贴装技术的 6-TSSOP 封装。该元件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有预偏压特性,适用于广泛的应用领域,特别是在低功耗电子电路中。其额定功率为 300mW,集电极电流(Ic)最大可以达到 100mA,集射极击穿电压(Vce)最高可达 50V。

二、技术规格

  1. 基本参数

    • 额定功率:300mW
    • 最大集电极电流 (Ic):100mA
    • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
    • 晶体管类型:1 个 NPN 和 1 个 PNP(预偏压式)
  2. 增益与饱和压降

    • DC 电流增益 (hFE) 最小值:100 @ 10mA,5V
    • 饱和压降最大值:100mV @ 250µA,5mA
  3. 基极与发射极电阻

    • 基极电阻 (R1):4.7kΩ
    • 发射极电阻 (R2):47kΩ
  4. 截止电流

    • 最大集电极截止电流:1µA
  5. 封装与安装

    • 封装外壳类型:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    • 安装类型:表面贴装型

三、应用领域

PUMD13,115 数字晶体管非常适合低功耗和静态电流控制应用,可以广泛应用于以下场景:

  1. 微控制器接口:在微控制器设计中,该元件可以作为输入输出控制开关,有效隔离微控制器与负载之间的连接,避免高功耗带来的风险。

  2. 信号放大:由于其优良的增益特性,可以在模拟信号放大器中进行信号放大。

  3. 电源管理:在电源管理系统中,此晶体管能够用于开关电源、线性稳压器等设计中,确保设备稳定工作。

  4. 逻辑电路:PUMD13,115 也可以在数字逻辑电路中使用,提供高效的逻辑电平转换和信号调理功能。

四、产品优势

  1. 高开关速度:该数字晶体管的快速开关性能使其非常适合高频率应用,保证了信号的稳定传输。

  2. 低功耗特性:其额定功率为 300mW,能够有效减小电源消耗,符合现代电子产品对能效的需求。

  3. 小型化与集成化设计:采用 6-TSSOP 封装,使得其在空间受限的应用中也能很好地适应,适合现代设备对小型化和轻量化的要求。

  4. 可靠性:Nexperia(安世)的品牌声誉确保了该产品质量的稳定和可靠性,适合长时间、连续工作的工业和消费类电子应用。

五、结论

总体来说,PUMD13,115 数字晶体管凭借其良好的电气性能和多功能特性,成为各类电子设备设计中不可或缺的组成部分。它不仅适合于目前的微电子技术要求,也为未来的更高性能、更低功耗的应用打下了良好的基础。伴随电子产品日益向智能化和低功耗方向发展,这款产品的市场前景也将更加广泛。