额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
1. 引言
MMBT2222A,215 是由安世(Nexperia)生产的一款高性能 NPN 型晶体管,广泛应用于电子电路中的信号放大和开关。凭借其优异的电气特性和小型化的封装设计,MMBT2222A 在各种电子设备中得到广泛使用,特别是在消费电子、工业控制和通信系统中。
2. 主要特性
额定功率: 250mW
MMBT2222A 的额定功率为 250mW,使其能够在相对高的电流和电压条件下稳定工作,适合多种应用场景。
集电极电流 (Ic): 最大 600mA
该晶体管的集电极电流最大可达 600mA,适合需要中等功率输出的电路设计,能够驱动多个种类的负载。
集射极击穿电压 (Vce): 最大 40V
MMBT2222A 可以承受最高 40V 的击穿电压,适用于各种电源电压设计,提升了电路的可靠性。
饱和压降 (Vce(sat)): 最大 1V @ 50mA,500mA
在 50mA 和 500mA 的集电极电流下,饱和压降为最大 1V,这确保了在开关状态下降低功耗和提升效率。
电流截止(ICBO): 最大 10nA
该晶体管的集电极截止电流非常小,使其在关闭状态下几乎不消耗电流,提升了电路整体的能效。
直流电流增益 (hFE): 最小 100 @ 150mA,10V
MMBT2222A 在 150mA 饱和条件下具有最小 100 的直流电流增益,表现出优良的信号放大能力。
频率: 跃迁频率为 300MHz
该晶体管具备高达 300MHz 的跃迁频率,使其适合高频应用,例如 RF 放大器及高频开关电路。
工作温度: 最高可达 150°C(TJ)
MMBT2222A 适应高温环境,性能稳定,尤其适合恶劣环境下的电子产品。
封装: TO-236AB、SC-59、SOT-23-3
使用表面贴装型封装,在节省电路板空间的同时,简化了组装工艺,便于自动化生产。
3. 应用领域
MMBT2222A 的广泛应用领域包括但不限于以下几个方面:
4. 优势分析
与同行业其他晶体管相比,MMBT2222A 具有较高的性价比和优异的电气性能。此外,安世的产品质量得到了广泛认可,凭借长期的行业经验,该产品在确保稳定性的同时,也提供了良好的可重复性。
5. 总结
MMBT2222A,215 NPN 晶体管以其出色的电气特性、小型化的表面贴装封装和良好的温度适应能力,提供了可靠的解决方案,满足了当今电子设计日益严格的性能和尺寸要求,是电子工程师在设计电路时值得信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制,还是在其他应用领域,MMBT2222A 都能够发挥其应有的优势,做到高效、可靠,为系统的正常运行提供支持。