晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
产品简介: BCW89,215 是一款高性能的PNP型晶体管,旨在满足各种电子设备中对中小功率增强型放大器的需求。该晶体管隶属于Nexperia(安世)系列,采用紧凑的TO-236AB封装,具有优秀的电气性能和广泛的应用场景,非常适合用于开关电路和线性放大电路。凭借其高达100mA的集电极电流(Ic)和60V的集射极击穿电压(Vce),BCW89,215 是设计高效电源和信号处理电路的理想选择。
主要参数:
电气特性与应用场景: BCW89,215 的 DC 电流增益(hFE)表现在较小的控制电流(Ib)下可实现较高的输出电流(Ic),使得在实际应用中能够有效地驱动负载。其低饱和压降特性使其在开关应用中具备极低的功耗,在大多数应用场景中都能有效延长电池的使用寿命,提高能效。此外,该产品的高集电极电流能力使其能在各种类型的电路中进行有效的信号放大。
适用于音频放大器、开关电源电路、无线电发射器和接收器等多种应用,BCW89,215 的高频特性(达150MHz)也使其在射频应用(RF)中具有一定的使用价值,例如在小型射频放大器中。该晶体管在低功耗设计中尤为重要,能够有效填补日益增长的低功耗器件市场需求。
封装与安装: BCW89,215的TO-236AB封装形式使其在表面贴装(SMD)应用中占据优势,便于自动化焊接与安装,缩小电路板的占用空间,提高组装的效率。此外,其小型化设计适合现代电子产品对轻量化、薄型化的要求,使得这一型号的产品在新一代电子产品中的兼容性和通用性更强。
结论: 总的来说,BCW89,215作为Nexperia推出的高性能PNP晶体管,具备出色的电气参数和广泛的应用能力,尤其适合于需要低功耗和高增益特性的电子设计师。凭借其牢靠的性能和紧凑的封装形式,BCW89,215在现代电子产品中被广泛采用,尤其是在节能型设计和高频应用中,成为降低功耗、提高效率的理想选择。选择BCW89,215,将为您的设计提供强大的支持,确保产品在性能上达到最佳。