注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI6423DQ-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-TSSOP
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.05W 12V 8.2A 1个P沟道 TSSOP-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.36按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.36
--
100+
￥3.63
--
750+
￥3.37
--
1500+
￥3.21
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI6423DQ-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽） | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 12V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 400µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 1.05W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
SI6423DQ-T1-GE3手册
SI6423DQ-T1-GE3概述
产品概述：SI6423DQ-T1-GE3 P沟道MOSFET
概述
SI6423DQ-T1-GE3 是一款由知名半导体制造商VISHAY（威世）推出的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该产品特别适用于要求较高的电流和电压性能的应用场合，具有出色的低导通电阻和良好的热设计，适合广泛的电子设备和电源管理解决方案。
主要特点
- 封装与设计：SI6423DQ-T1-GE3采用8-TSSOP封装，外壳尺寸为0.173"（4.40mm宽），适合表面贴装（SMT）技术，能够有效节省电路板空间。
- 电气性能：该MOSFET具有最大漏源极电压（Vdss）为12V，最大连续漏极电流（Id）达到8.2A。这使得它非常适合于低电压高电流的应用场景。
- 导通电阻：在不同Id和Vgs条件下，该器件提供了最大导通电阻（Rds(on)）为8.5毫欧（在9.5A和4.5V下测得），保证了高效的电流传导，降低能量损耗。
- 驱动电压：SI6423DQ-T1-GE3支持的驱动电压为1.8V到4.5V，使其在不同的工作环境下仍能保持良好的工作性能。
- 栅源电压：最大栅源电压（Vgs）为±8V，意味着在设计中可以提供一定的灵活性，同时避免过度电压损坏的风险。
- 热特性：该MOSFET的功耗可达1.05W，具有良好的散热性能，工作的温度范围宽广，能够在-55°C到150°C的极端环境下正常工作，满足军用和工业应用的需求。
应用场景
SI6423DQ-T1-GE3主要应用于以下领域：
- 电源管理：该MOSFET非常适合用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统等场合，其低导通电阻可以提高效率，延长电池的使用寿命。
- 马达控制：在电动机驱动器中，该器件可以作为开关元件，有助于实现精确的速度和扭矩控制。
- 负载开关：由于其良好的热特性和高电流能力，该MOSFET适合用作负载开关，可靠地控制高功率负载的启停。
- 通信与消费电子：SI6423DQ-T1-GE3也可应用于各种消费电子产品中，如LED驱动电路、音频放大器等，提升电路的整体性能和稳定性。
结论
总而言之，SI6423DQ-T1-GE3 P沟道MOSFET是一款具有高效能和广泛适用性的电子元器件，凭借其优秀的电气特性和可靠的热管理，成为现代电源管理、低电压高电流控制以及各种工业和消费电子应用的理想选择。VISHAY凭借其在半导体行业的信誉和技术积累，确保了该产品在激烈的市场竞争中保持领先地位。设计工程师可以安心采用该器件，以满足不同应用的高效能需求。