CSD19538Q3A
CSD19538Q3A参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 5A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 454pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.3nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta）, 23W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
CSD19538Q3A手册
CSD19538Q3A概述
CSD19538Q3A 产品概述
产品基本信息
CSD19538Q3A 是由德州仪器（Texas Instruments）设计和制造的一款高性能 N 频道 MOSFET，适用于各种功率管理和开关应用。该器件专柜于表面贴装（SMD）型形式，采用紧凑的 8-VSONP（3x3.15）封装，使其在空间受限的设计中表现出色。CSD19538Q3A 具备广泛的工作参数，能够满足高效能运作的需求，其主要应用领域包括电源转换、驱动电路、以及其他需要高频开关的应用。
主要技术参数
导通电阻（Rds(On)）：在 5A 和 10V 的条件下，CSD19538Q3A 的最大导通电阻为 59 毫欧，保证了在高负载情况下的低功耗表现。这一特性可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。
连续漏极电流（Id）：在环境温度 25°C 下，该器件能够承受最大 15A 的连续漏极电流，适应多种高负载条件。结合其较高的功率耗散，CSD19538Q3A 可在不同的工作环境中稳定运行。
驱动电压（Vgs）：该 MOSFET 在 6V 至 10V 的栅极驱动电压下工作，可根据应用需要调节驱动电压，以实现最佳性能。在栅极电荷（Qg）为 4.3nC 的条件下，能够快速启动和关断，适合高速开关应用。
漏源电压（Vdss）：其漏源耐压为 100V，适用于多种中高压应用。
输入电容（Ciss）：在 50V 的条件下，CSD19538Q3A 的最大输入电容为 454pF，帮助用户在设计中优化驱动信号和延迟时间，进一步提升电路的响应速度和效率。
工作温度范围：该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保在严酷环境下的可靠性，适合工业、汽车和消费电子等多个领域。
应用领域
CSD19538Q3A 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在电源转换器中用于高效开关，以实现更好的能量管理和效率提升。
- 电动机驱动：可作为高功率电动机控制器的一部分，提供强有力的驱动输出，同时保持低热量生成。
- DC-DC 转换器：适用于各种升压或降压转换器架构，支持高频切换和高效能输出。
- 汽车电子：能够承受恶劣的环境条件和广泛的工作温度，适合在汽车电源系统中广泛使用。
总结
CSD19538Q3A 的设计满足了高效能、高可靠性和宽应用范围等关键要求，特别适合现代电子设备的功率管理需求。这款 N 频道 MOSFET 的顶尖性能和灵活性，使其成为工程师设计方案中不可或缺的重要元件。借助于其低 Rds(on)、高电流耐受能力和优异的温度匹配特性，CSD19538Q3A 能够支持从消费电子到工业设备的各类应用，为设计师提供了极大的设计灵活性和最佳的效率表现。