2SD1664T100Q
2SD1664T100Q参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
2SD1664T100Q手册
2SD1664T100Q概述
2SD1664T100Q 产品概述
产品简介
2SD1664T100Q 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管 (BJT)，用于各种电子电路的信号放大和开关应用。这款晶体管特别适合在高频率和高温环境下工作，其显著的性能参数和小巧的封装使其成为电源管理、音频放大和通用开关器件等应用的理想选择。
基本参数和特性
- 额定功率: 2W
- 集电极电流 (Ic): 1A
- 集射极击穿电压 (Vce): 32V
- 最大 Vce 饱和压降: 400mV @ 50mA，500mA
- 最大截止电流 (ICBO): 500nA
- 最小 DC 电流增益 (hFE): 120 @ 100mA，3V
- 频率 - 跃迁: 150MHz
- 工作温度: 最高可达 150°C
- 封装类型: SOT-89 (MPT3)
- 安装方式: 表面贴装型
电气特性分析
2SD1664T100Q 能在高达 1A 的集电极电流和 32V 的集射极击穿电压下稳定工作，其最大功率为 2W，满足大多数中等功率应用的需求。该晶体管的饱和压降小于 500mV，使其在开关操作中具备较小的能量损失，从而提高了整体效率。
其 DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 120，这意味着即使在较小的基极电流下，也能够驱动较大的集电极电流，是高增益应用的良好选择。同时，在高频操作下，其跃迁频率高达 150MHz，使其适用于需要快速开关和信号处理的场合，如 RF 放大器、开关电源等。
温度特性与可靠性
2SD1664T100Q 的工作温度范围最高可达 150°C，这样的高温限值使得该器件适合在恶劣环境下应用，同时其最大截止电流仅为 500nA，确保了在关断状态下的低功耗表现。这一特性在电池供电的便携式设备中尤为重要，能够显著延长电池的使用寿命。
封装与安装
该器件采用 SOT-89 (MPT3) 封装形式，具有较小的体积，适合现代电子产品对空间的苛刻要求。表面贴装的设计简化了制造工艺，提高了装配效率，并适应更高的发展趋势，尤其是在自动化生产中，能够减少人工装配的误差。
应用领域
2SD1664T100Q 广泛应用于：
- 功率放大器: 支持音频和射频应用，提升信号的输出能力。
- 开关电源: 在高频开关电源中，充当开关和调节电流的角色，确保电源的稳定性。
- 信号调制: 用于各种信号调制线路，提升信号的传输质量。
- 电机驱动: 作为电机驱动电路中的信号放大器，控制电机的启停。
结论
2SD1664T100Q 是一款性能优异、适应性广泛的 NPN 晶体管，适合用于各种现代电子电路设计中。其卓越的电气特性、高温工作能力以及小型化的封装，使其在电源管理、信号处理、高频应用等领域展现出极大的潜力。通过在设计中合理选用该晶体管，可以有效提升产品的性能和效率，以及拓宽其应用范围。