2N7002 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002

商品编码: BM0058398954
品牌 : 
PANJIT(强茂)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.12
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.12
--
150+
¥0.0859
--
1500+
¥0.0728
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002参数

漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW类型N沟道

2N7002手册

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2N7002概述

2N7002 产品概述

1. 产品简介

2N7002是一款广泛应用于电子电路中的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),因其优良的电气性能和多样化的应用而备受青睐。该器件由知名厂家PANJIT(强茂)生产,采用SOT-23封装。这种小型化的封装使得2N7002适合在紧凑的电路设计中使用。

2. 主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C时):
    • 115mA
    • 200mA
  • 栅源极阈值电压:
    • 1V(最小)至 2.5V(@ 250uA)
  • 漏源导通电阻:
    • 5Ω(@ 500mA, 10V)
    • 7.5Ω(@ 500mA, 10V)
  • 最大功率耗散(Ta=25°C):
    • 200mW
    • 225mW

3. 性能特点

2N7002的性能特征使其适用于多种电子应用,包括开关电路、模拟电路、信号放大等。主要性能特点如下:

  • 高耐压能力: 具有60V的漏源电压,使其适合高电压应用。这一特性意味着2N7002能够在较高的电压环境中工作,确保电路的稳定。

  • 低导通电阻: 较低的漏源导通电阻(5Ω 和 7.5Ω)有助于减小工作时的功率损耗。这一特点对提高电路效率至关重要,尤其是在较大电流传输的情况下。

  • 适应性强的阈值电压: 栅源极阈值电压在1V到2.5V之间,确保MOSFET能够在较低的输入电压下快速导通。这使得2N7002适合用于电池驱动的设备和低功耗应用。

  • 良好的热性能: 最大功率耗散的设计使得该器件在高负载条件下依然保持良好的温度性能,降低了由于过热可能造成的电路故障风险。

4. 应用领域

2N7002的广泛应用领域包括但不限于:

  • 开关电源: 利用其较高的耐压和低导通电阻,2N7002在开关电源设计中被广泛采用,提升了开关效率。

  • 信号调制: 适用于信号调制电路中,能够提供良好的开关特性和线性度。

  • 电机驱动: 由于其较高的电流承载能力,2N7002常用于小型电机控制电路。

  • 传感器接口: 在传感器应用中,2N7002可以作为信号放大器,确保传感器输出信号的准确传输。

  • 微控制器(MCU)接口: 在微控制器与各类负载之间的接口中,2N7002作为开关元件,可实现对外部设备的控制。

5. 总结

综上所述,2N7002是一款高性能的N沟道MOSFET,符合多种现代电子设备的需求。其出色的耐压、低导通电阻及优良的热性能,使其成为电子设计中非常理想的选择。无论是在开关电源、信号调制,还是在电机驱动和传感器接口等领域,2N7002都能够提供稳定可靠的性能,满足各种应用的需求。通过合理运用2N7002,设计工程师能够提升产品的整体性能与效率。