MBR10100G
MBR10100G参数
| 直流反向耐压（Vr） | 100V | 平均整流电流（Io） | 10A |
| 正向压降（Vf） | 800mV @ 10A | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V | 电流 - 平均整流 (Io) | 10A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 10A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 100V | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-2 | 供应商器件封装 | TO-220-2 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
MBR10100G手册
MBR10100G概述
MBR10100G 产品概述
MBR10100G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能肖特基二极管，具有极高的反向耐压和整流能力，特别适用于各种高效率电源和快速开关应用。这款器件的主要参数包括：直流反向耐压（Vr）为 100V，平均整流电流（Io）为 10A，正向压降（Vf）在 10A 时为 800mV，具备优越的电性能和良好的热管理能力。
主要特点与参数
直流反向耐压：MBR10100G 的最大反向电压为 100V，适合用于高压应用场景，确保在不超过其额定值的情况下可靠工作。
整流能力：其平均整流电流为 10A，表明在正常工作条件下，可以承受较大的电流负载，是电源转换和整流电路中的理想选择。
正向压降：在 10A 的工作条件下，正向压降为 800mV，这一参数对提升电源转换效率至关重要，较低的正向压降意味着在整流过程中能量损失较少，有助于减小系统发热，提高整体能效。
反向泄漏电流：在 100V 的情况下，反向泄漏电流仅为 100µA，这意味着在设备处于关断状态时，其电流损耗极低，适合在电源管理中提高效率和性能。
恢复速度：具有快速恢复特性，恢复时间小于等于 500ns，在动态工作状态下能够快速响应，减少开关损耗，使其非常适合用于高频应用。
工作温度范围：该器件的结温范围广泛，工作温度从 -65°C 到 175°C，适应了恶劣的环境条件，提供更高的设计灵活性。
封装类型：采用 TO-220-2 封装，便于通孔安装，适合在PCB设计中使用，且具有良好的散热性能，可以有效降低器件在工作过程中的温度，延长使用寿命。
应用领域
凭借其出色的电气性能，MBR10100G 在多个领域中都有广泛的应用：
电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和其他电源模块中，访问高效率能量转换。
电动汽车与混合动力汽车：作为整流器和保护电路的一部分，用于电池管理和控制系统，确保能量传输的高效性与可靠性。
工业自动化：在马达驱动器、控制电路及各种传感器供电中发挥作用，提高系统的可靠性与稳定性。
消费电子产品：在各类电子设备中，例如笔记本电脑、手机充电器和电视等，提供优质直流电源转换解决方案。
结论
MBR10100G 是一款功能强大、性能可靠的肖特基二极管，凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，成为许多电子产品和系统中的首选器件。无论是在高压电源转换、工业机械、消费电子产品，还是汽车电子领域，MBR10100G 均能提供卓越的性能和长效的可靠性，是设计师在选择高效整流解决方案时的重要选项。