BST52,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BST52,115

商品编码: BM0058398936
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
达林顿管 1.3W 80V 2000@10V,500mA NPN SOT-89-3
库存 :
3880(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.12
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.12
--
50+
¥0.861
--
1000+
¥0.718
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BST52,115参数

晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大值1.3W频率 - 跃迁200MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89

BST52,115手册

BST52,115概述

BST52,115 产品概述

1. 产品简介

BST52,115 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,采用 SOT-89 封装,专为高增益应用而设计。这款晶体管的最大集电极电流为 1A,最大电压为 80V,具有优秀的电流增益特性,尤其是在 500mA 和 10V 的条件下,其直流电流增益(hFE)可达到 2000。这使得 BST52,115 在需要高增益和高电流驱动的电路中表现出色。

2. 技术参数

  • 晶体管类型:NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic):最大 1A
  • 电压 - 集射极击穿:最大 80V
  • 饱和压降 (Vce):1.3V @ 500µA 和 500mA(最大值)
  • 电流 - 集电极截止 (Ic(max)):最大 50nA
  • 直流电流增益 (hFE):最小值 2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大值:1.3W
  • 频率 - 跃迁:200MHz
  • 工作温度范围:最高 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA / SOT-89

3. 应用场景

BST52,115 在多个应用场景中表现优越,适合用于:

  • 开关电源:由于其高电流承受能力和优异的增益特性,这款达林顿管非常适合于开关电源电路中作为开关元件,提高效率。
  • 放大器电路:具有高增益的特性,使其适合在小信号放大器和功率放大器中使用,能够有效放大微小信号。
  • 继电器驱动:能够驱动继电器和其他负载,满足自动化和控制系统中的需求,常见于家电、工业设备及其他控制电路。
  • 灯光控制:可以用作 LED 驱动器,尤其是在需要控制高功率 LED 的灯具设计中,提供稳定的电流输出。
  • 流量控制:在一些高功率流量控制应用中,BST52,115 能够有效地用于控制阀门和泵的开关,适应要求苛刻的工作环境。

4. 封装与电路设计

BST52,115 采用 SOT-89 表面贴装封装,这种封装形式能够有效节省空间,适合现代电子设备追求的小型化设计。设计师可以轻松将其集成到各种电路布局中,从而实现高密度组装。同时,其良好的热管理性能对于长时间稳定运行至关重要,确保在高工作温度下依然保持可靠性。

5. 结论

综上所述,BST52,115 NPN 达林顿晶体管是一个提供高增益、高电流输出和优秀热稳定性的理想选择。无论是在工业、家电还是消费电子领域,它都能够满足严苛的应用需求,并确保高效的电路性能。随着电子产品日益对效率和体积的双重要求,BST52,115 将会在未来的发展中继续处于技术的前沿,为多种应用提供可靠的解决方案。