PUMB4,115
PUMB4,115参数
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMB4,115手册
PUMB4,115概述
PUMB4,115 产品概述
PUMB4,115是由Nexperia（安世）公司推出的一款高性能数字晶体管，采用6-TSSOP封装，具备出色的电气性能和可靠性。该产品是双PNP预偏压式晶体管设计，特别适合在需求较低功率及高电流增益的应用场合中使用。
主要特性
晶体管类型： PUMB4,115集成了两个PNP晶体管，其设计旨在提供优良的电流放大特性，并且由于其预偏压设计，能够在更低的输入电流下达到较高的集电极电流输出。
电流和电压规格：
- 最大集电极电流（Ic）：100mA，适合各种通用负载的驱动。
- 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，确保在高压应用中的安全性和可靠性。
- 集电极截止电流：仅为1µA，显示该器件在开关断开时几乎没有漏电流，是低功耗设计的理想选择。
电流增益 (hFE)： 在不同的Ic和Vce条件下，PUMB4,115展现出极高的DC电流增益（hFE），最低可达200，特别是在1mA的输入电流和5V的工作电压下。这使得它能够在不同操作条件下依然提供稳定的放大效果，满足多种应用需求。
饱和压降： 在饱和区，Vce的最大压降为150mV（在500µA至10mA的范围内），这意味着在开关状态下，能有效减少功率损耗，提高系统效率。
功率处理能力： PUMB4,115能够承受高达300mW的功率，使其能够在多种温度和负载条件下正常工作，能够应对多样化的应用环境。
安装类型及封装： 该器件为表面贴装型，封装规格为6-TSSOP，SC-88，和SOT-363，适合现代电子设备中高密度布局的需求，减少板级空间占用，提高整体设计的紧凑性。
应用场景
PUMB4,115的特性使其广泛应用于以下领域：
- 开关电源：利用其低饱和压降和高电流增益，适合用作开关电源的开关元件，提高能源转换效率。
- 信号放大：在无线通信和音频设备中，可以作为信号放大器，增强微弱信号，提升信号传递质量。
- 行驶控制：在汽车电子中，为传感器和执行器提供可靠的驱动，增强系统的响应速度和稳定性。
- LED驱动器：在照明设备中，作为LED驱动电路的一部分，能够高效地控制大功率LED的开关和调光功能。
结论
PUMB4,115是Nexperia公司推出的一款设计先进、性能卓越的双PNP数字晶体管，凭借其高额的电流增益、低饱和压降及合理的功率处理能力，成为各种电子应用中的理想选择。其紧凑的封装设计及高效的工作性能，使其在当今的微型化电子产品设计中尤为重要，适应了现代电子产品对高性能和低功耗的追求，为设计工程师提供了更多的选择和便利。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，PUMB4,115都将为设计带来更高的价值。