晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
PMST2907A,115 是一款高性能的 PNP 型三极管,专为需要中等功率和高增益应用而设计。该器件提供了卓越的电流承载能力与电压稳定性,使其在各种电子电路中表现出色,尤其适用于开关电源、功率放大和信号调理等领域。
晶体管类型: PMST2907A,115 是一款 PNP 晶体管,具有优良的反向特性,能够在多种应用场景中发挥作用。
集电极电流: 最大集电极电流(Ic)为 600mA。这意味着该三极管在正常工作条件下,可以处理高达 600mA 的电流,非常适合于驱动负载或在功率放大器中使用。
集射极击穿电压: Vce(最大值)为 60V,确保了该器件在高电压环境下的稳定性。即使在较高的电压瞬态下,PMST2907A,115 也能保持良好的性能,防止击穿。
功率额定: 该三极管的额定功率为 200mW,使得其在高温度和高负载的情况下可安全工作,适用于各种电源管理和信号放大应用。
Vce 饱和压降: 该器件在不同的基极电流(Ib)与集电极电流(Ic)条件下,Vce 饱和压降的最大值为 1.6V @ 50mA 和 500mA,显示出其优秀的导通状态效率。
电流增益: 在集电极电流 150mA 和 10V 的条件下,PMST2907A,115 的 DC 电流增益(hFE)最小值为 100,提供了强大的放大能力,适合各种需要电流增益的应用。
极低的截止电流: 该器件的 ICBO(集电极-基极反向漏电流)最大值为 10nA,确保了在休眠状态下几乎不会消耗电流,从而提高了总体系统的效率。
高频特性: PMST2907A,115 具有 200MHz 的频率跃迁能力,适合于高频应用,如 RF 电路和高频信号放大器。
封装与安装类型: 该三极管采用小型 SC-70 封装,便于表面贴装(SMD),适用于空间有限的电路板设计,符合现代电子产品对小型化和集成度的需求。
生态友好和可回收性: Nexperia 在制造过程中注重环保,PMST2907A,115 具备良好的环境兼容性,符合 RoHS 标准,支持可持续发展。
PMST2907A,115 的广泛应用使其成为众多电子设计中的中心元件,包括但不限于:
PMST2907A,115 是一款高效、稳定、可靠的 PNP 型三极管,广泛适用于现代电子设计。凭借其出色的电气特性和小型封装,能够满足当今电子产品对于性能和空间的严格要求。作为 Nexperia 旗下的优质产品,PMST2907A,115 无疑将为工程师和设计师提供强大的支持。