安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 5.5V |
电源线路保护 | 无 | 电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) |
不同频率时电容 | 0.2pF @ 1MHz | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 9A(8/20µs) | 双向通道 | 1 |
电压 - 击穿(最小值) | 6V | 类型 | 齐纳 |
应用 | 通用 |
PESD3V3C1BSFYL 是由安世半导体(Nexperia)生产的一款高性能电压钳位二极管,专为电子电路设计中的过压保护应用而开发。该器件采用表面贴装(DIP)封装,型号为 DSN0603-2,适合与各类电子设备一起使用,提供高效的电压钳位解决方案。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,使其在各种苛刻的环境下保持稳定的性能。
安装类型:该器件采用表面贴装型(SMD)设计,便于在紧凑的电路板上快速、方便地进行安装。这种安装方式在当前电子产品中日益普及,特别是在小型化和高集成度的电子产品中具有显著优势。
电压-反向断态(Vr):该元器件的反向电压为 3.3V,具有高的电压稳定性。在正常工作条件下,该器件能够有效地抑制多种突发电压条件,保护后端电路不受到损坏。
电压-击穿(Vbr):该设备的最小击穿电压为 6V,最大箝位电压为 5.5V。这一参数的设计,使得 PESD3V3C1BSFYL 能够在遭遇突发的过电压事件时快速反应,并确保电路的安全。
电流-峰值脉冲(Ipp):该器件能够处理高达 9A 的短时脉冲电流(10/1000µs),在面对高频突发电压时也能迅速处置而不会失效。对于可能出现的瞬态电流,PESD3V3C1BSFYL 表现出了优异的能量吸收能力。
电容特性:在 1MHz 的频率下,其电容值为 0.2pF,符合大多数高速数字信号处理的需求,这使得该器件在信号完整性方面表现良好,适用于各种高速通信接口。
双向通道:PESD3V3C1BSFYL 是双向通道的元器件,能够在两个方向上提供保护,广泛适用在各种不同的应用场合,如 USB 接口、HDMI 接口等。
PESD3V3C1BSFYL 可广泛应用于需要瞬态电压抑制的场景,包括但不限于:
PESD3V3C1BSFYL 不仅在性能上有着突出的表现,同时在成本和集成性方面也具有明显优势。作为安世半导体的产品,其制造过程严格遵循国际标准,质量上乘使其在市场上深受用户欢迎。
PESD3V3C1BSFYL 是一款在现代电子设计中不可或缺的过压保护元器件,其出色的性能使得它能够为各种敏感电子设备提供持久的保护。无论是在高速数据通信的反向保护,还是在短时电流冲击下,该器件都展现出优异的电性和可靠性。对于电路设计师而言,选择 PESD3V3C1BSFYL,将是确保系统稳健性和提高产品信赖度的明智选择。