额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMD9,115 是一款高性能的数字晶体管,采用先进的半导体技术制造,专为低功耗和高效驱动应用而设计。这款产品包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,均为预偏置式,适合用于各种数字电路和开关控制场景。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装,PUMD9,115 成为嵌入式系统、无人机、消费电子和工业自动化等领域的理想选择。
PUMD9,115 采用SOT-363(TSSOP-6)封装,具有极小的尺寸和轻量化的特点,适用于表面贴装(SMT)技术。这种封装形式使其能够在空间有限的电路板设计中,实现更高的集成度和更小的占用面积。此外,表面贴装型的设计可以在自动化生产中增加生产效率。
PUMD9,115 的设计保证其在高频率和高效率操作下仍能保持良好的性能。它的 DC 电流增益高达 100,使得其在小信号的放大方面更加出色。同时,其在低集电流情况下的饱和压降仅为 100mV,大大减少了功耗和发热,增加了电路的可靠性。
其最大的集电极电流为 100mA,使得 PUMD9,115 能够在各种负载条件下运行,而不必担心过载的问题。此外,其集射极击穿电压为 50V,可以广泛应用于大多数标准的电源及信号线环境中。
PUMD9,115 适合用于多种应用,具体包括但不限于:
PUMD9,115 的设计符合国际标准,具备一定的抗干扰能力,可在不同温度和电流环境下稳定运行。此外,由于其较低的集电极截止电流(1µA),在待机模式下非常省电,提升了整体产品的效率。
PUMD9,115 是一个集高性能、节能和小型化于一体的数字晶体管,能够满足现代电子产品对于高效能和可靠性的需求。其多功能性和优良的电气特性,使其在众多应用领域中具有广泛的适用性和出色的市场竞争力。安世(Nexperia)作为知名的半导体供应商,保证了该产品在质量和性能上的可靠性,使得 PUMD9,115 成为设计工程师的优选元器件。