PESD5Z2.5,115
PESD5Z2.5,115参数
| 反向关断电压（典型值） | 2.5V | 击穿电压（最小值） | 4V |
| 极性 | Unidirectional | 箝位电压 | 15V |
| 峰值脉冲电流（10/1000us） | 20A (8/20us) | 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 2.5V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 4V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 15V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 20A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 260W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 以太网 |
| 不同频率时电容 | 229pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
PESD5Z2.5,115手册
PESD5Z2.5,115概述
产品概述：PESD5Z2.5,115
PESD5Z2.5,115 是一款由安世半导体（Nexperia）生产的表面贴装型 Transient Voltage Suppressor（TVS）二极管，专为高速数据传输和敏感电路的过压保护而设计。该器件的设计目标是保护以太网和其他通信线路设备，确保在极端或瞬态电压情况下的设备安全性与可靠性。
1. 关键参数
PESD5Z2.5,115 的反向关断电压（V_R）典型值为 2.5V，适用于保护低压线圈和信号线的电路。其最小击穿电压为 4V，确保在额定工作条件下不会误触发，便于设备持续稳定运行。对于意外的高电压冲击，该器件能以高达 15V 的箝位电压（V_clamp）进行有效的瞬态电压抑制，保护设备免受损害。
该器件支持峰值脉冲电流（Ipp）达到 20A（在 10/1000µs 脉冲情况下），可承受突发事件而不损坏，拥有高达 260W 的峰值瞬态功率承受能力，能有效应对工业环境中的电磁干扰和静电放电（ESD）事件。
2. 适用场景
PESD5Z2.5,115 特别适用于以太网通信以及其他高频信号传输路由器、交换机及嵌入式系统中。它能有效保护高速数据线路免受瞬态电压和电流的影响，从而延长设备使用寿命，保障数据传输的完整性和稳定性。
该产品还在其 229pF @ 1MHz 的电容值下，能满足高频应用的需求，对信号传输几乎没有显著影响。此外，宽广的工作温度范围（-65°C 到 150°C）使其在各种苛刻环境下均能可靠工作。
3. 安装和封装
PESD5Z2.5,115 采用 SOD-523 封装，无论是在小型化澳洲还是高密度的设备设计中，都能轻松集成。其表面贴装类型（SMD）安装方式简化了生产过程，适合自动化引脚安装，能够提高电路板的装配效率。
4. 应用优势
选择 PESD5Z2.5,115 的优势在于其卓越的性能参数与低导通电阻，能够确保提供快速的电压跳变响应，同时极低的输入电流保持电路的高效运行。其优越的可靠性和优质的过压保护特性使其在现代通信和数据存储解决方案中成为理想的保护元器件。
结论
PESD5Z2.5,115 是一个设计精良、性能出众的 TVS 二极管，凭借其高达 20A 的峰值脉冲电流能力和 15V 的有效箝位电压，能够为各种以太网和通信设备提供卓越的瞬态保护，确保设备稳定运行。安世半导体的产品可靠性及其广泛的应用领域标志着 PESD5Z2.5,115 在全球市场上的竞争优势，是行业中值得信赖的优选元件。