晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-666 |
PEMD24,115 是一款高性能数字晶体管,专为集成电路和数字电子设备中的开关、放大及信号处理应用而设计。它具备一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,均为预偏置式结构,适用于常见的电子系统。这款晶体管采用SOT-666封装,且具备卓越的电气性能,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制系统中。
晶体管类型:
电气特性:
电流增益 (hFE):
电阻器配置:
封装及安装:
PEMD24,115的特性使其适用于多种应用:
PEMD24,115 是一款集成了两个预偏置晶体管的高效数字晶体管,其核心优势主要体现在低功耗、高效能和高度集成化方面,非常适合当前的电子设备设计需求。无论是在消费市场的智能设备,还是工业市场的控制系统中,PEMD24,115都能提供满意的解决方案,其在现代电子技术中的应用前景广阔。选择PEMD24,115,您将获得了一款兼具性能与效率的理想元器件。