额定功率 | 250mW | 集射极击穿电压Vce | 80V |
集电极电流Ic | 100mA | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 15mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BSS64,215是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能NPN晶体管,广泛应用于各种电子电路中。它具有250mW的额定功率,集射极击穿电压(Vce)高达80V,集电极电流(Ic)最高可达100mA。这款半导体器件以其优良的电气特性和紧凑的封装形式,成为设计人员在电源管理、开关电路和放大电路中的理想选择。
电气特性:
饱和压降:
截止电流:
电流增益:
频率特性:
该晶体管的工作温度范围可高达150°C(TJ),适合于高温环境,保证其在恶劣条件下的稳定性能。无论是汽车、工业控制还是消费电子,BSS64,215均能提供可靠的性能支持。
BSS64,215采用TO-236AB封装,这是一种表面贴装型(SMD)封装形式,适合现代电子产品的紧凑设计。TO-236AB封装不仅节省PCB空间,还有助于提高电路的整体集成度。此外,其SOT-23-3封装形式使得在自动化生产时更便于操作,提高了制造效率和产品一致性。
BSS64,215广泛应用于多个领域,包括但不限于:
综上所述,BSS64,215是一款性能优异的NPN晶体管,凭借其卓越的电气特性、环境适应能力和紧凑的封装设计,成为了众多电子产品设计中的首选。无论是电源管理、开关电路还是信号放大,BSS64,215都可为设计师提供可靠的支持与保障。选择BSS64,215,不仅可以提升产品的性能,同时降低能耗,为现代电子设备的开发增添优势。