BSR43,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSR43,115

商品编码: BM0058398867
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
0.104g
描述 : 
三极管(BJT) 1.35W 80V 1A NPN SOT-89-3
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.06
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.06
--
50+
¥0.814
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSR43,115参数

额定功率1.35W集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce80V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,5V功率 - 最大值1.35W
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装SOT-89

BSR43,115手册

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BSR43,115概述

BSR43,115 产品概述

BSR43,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能 NPN 型功率晶体管,在电子产品中广泛应用。该晶体管采用 SOT-89 封装,具备表面贴装型(SMD)特性,便于在现代电子设备的紧凑空间内安装。

主要参数

  • 额定功率: BSR43,115 的额定功率为 1.35W,这使其适用于多种功率控制的应用场景。
  • 集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为 1A,能够满足大多数消费电子、工业设备等应用的需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大集射极击穿电压为 80V,此参数保证了晶体管在高电压环境下的安全性和可靠性。
  • 饱和压降: 在 Ic 为 50mA 和 500mA 时,Vce 饱和压降的最大值为 500mV,这意味着在工作状态下,晶体管能够保持低的导通压降,从而提高能效。
  • 截止电流: 集电极截止电流最大值为 100nA(ICBO),反映了其在关断状态下的低漏电性能。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 Ic 为 100mA,Vce 为 5V 的条件下,hFE 的最小值为 100,说明该晶体管在适当工作条件下能够提供良好的增益特性。
  • 频率响应: 该晶体管的跃迁频率为 100MHz,这使其适用于高频应用,例如射频放大器以及开关电源。
  • 工作温度: 管芯最高工作温度为 150°C,适应性强,能够在较高温度的环境中稳定运行。

应用场景

BSR43,115 的设计使其非常适合于以下应用场景:

  1. 开关电源: 此晶体管可用于开关电源中的开关组件,在高频操作中表现出色,具有高效的能源转换能力。
  2. 功率放大器: 在音频放大器以及射频放大电路中应用,使信号放大效果显著。
  3. 低功耗设备: 由于其低漏电特性,BSR43,115 理想用于电池供电的设备,能够延长电池寿命。
  4. 驱动电路: 可以用作驱动器,控制电磁阀、继电器或其他负载的开关。
  5. 无线通信: 在无线通信设备中,特别是需要高频开关的场合,能够处理快速的信号转换。

封装与安全性

BSR43,115 采用 SOT-89 封装,体积小巧,适合高密度电路板布局。其表面贴装设计也优化了装配工艺,帮助提高生产效率。此外,该晶体管的工作温度范围和电压规格使其能够在恶劣环境条件下正常工作,确保产品在长期使用中的稳定性。

总结

综合以上信息,BSR43,115 是一款性能优越的 NPN 型功率晶体管,具有多种优秀特性,非常适合各种电子应用。其高频响应、低饱和压降、良好的温度稳定性使其在电子设计中成为理想选择。无论是在开关电源、功率放大器还是低功耗设备中,BSR43,115 都能提供可靠的性能和卓越的能效,为广大电子工程师和设计师提供了更多的设计灵活性和应用可能。