额定功率 | 1.35W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 1.35W |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89 |
BSR43,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能 NPN 型功率晶体管,在电子产品中广泛应用。该晶体管采用 SOT-89 封装,具备表面贴装型(SMD)特性,便于在现代电子设备的紧凑空间内安装。
BSR43,115 的设计使其非常适合于以下应用场景:
BSR43,115 采用 SOT-89 封装,体积小巧,适合高密度电路板布局。其表面贴装设计也优化了装配工艺,帮助提高生产效率。此外,该晶体管的工作温度范围和电压规格使其能够在恶劣环境条件下正常工作,确保产品在长期使用中的稳定性。
综合以上信息,BSR43,115 是一款性能优越的 NPN 型功率晶体管,具有多种优秀特性,非常适合各种电子应用。其高频响应、低饱和压降、良好的温度稳定性使其在电子设计中成为理想选择。无论是在开关电源、功率放大器还是低功耗设备中,BSR43,115 都能提供可靠的性能和卓越的能效,为广大电子工程师和设计师提供了更多的设计灵活性和应用可能。