BAS116H,115
BAS116H,115参数
| 反向恢复时间（trr） | 3us | 直流反向耐压（Vr） | 75V |
| 平均整流电流（Io） | 215mA | 正向压降（Vf） | 1.25V @ 150mA |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 215mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 3µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5nA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123F |
| 供应商器件封装 | SOD-123F | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
BAS116H,115手册
BAS116H,115概述
产品概述：BAS116H / BAS115 二极管
一、产品背景
BAS116H 和 BAS115 是由安世（Nexperia）推出的高性能开关二极管，具有完全符合现代电子设备需求的设计规格。适用于各种低功耗电子应用，包括信号整流和开关电路。这两款二极管的设计专注于提供卓越的电气性能和热稳定性，使其成为多个应用场景的理想选择。
二、主要特性
反向恢复时间（trr）
BAS116H 和 BAS115 的反向恢复时间为 3 微秒，适合用于快速开关应用。这使得它们在处理高频信号时，能够迅速改变导通与关断状态，减少在这方面的功耗。直流反向耐压（Vr）
最大直流反向耐压为 75V，能够有效保护电路免受反向电压损害，确保电路的安全运行。平均整流电流（Io）
它们的平均整流电流为 215mA，适合中小电流负载，能够支持大多数常见应用的电流需求。正向压降（Vf）
在 150mA 的条件下，正向压降为 1.25V，这一较低的压降特性有助于提升电路的能效，降低功耗，特别适合在低电压供电的场合下使用。反向泄漏电流
在最大 75V 条件下，反向泄漏电流仅为 5nA，这显示出其优秀的反向特性，有助于提升整体电路的稳定性和效率。封装与安装类型
采用表面贴装型 SOD-123F 封装，这种紧凑的封装形式适合各种体积受限的电路板上安装，从而满足现代小型化电子设备的需求。工作温度
结温可达 150°C，这为产品在高温环境下的可靠性提供了保障，扩展了其适用范围。电容特性
在 0V 和 1MHz 下的电容值为 2pF，具备良好的频率响应特性，进一步提升了产品在高频应用中的性能。
三、应用领域
BAS116H 和 BAS115 二极管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 消费电子：例如，用于手机、平板电脑、消费类音视频设备中的信号整流和开关电路。
- 工业设备：可在各种工业控制系统中使用，特别是在需要快速响应的开关场合。
- 电源管理：在开关电源、适配器和充电器等电源管理系统中作为整流器，确保可持续可靠的电源供给。
- 汽车电子：适用于汽车电子控制单元（ECU）中的信号处理和电源保护。
- LED 驱动电路：在 LED 照明设计中，用于信号切换和电流整流。
四、总结
BAS116H 和 BAS115 的推出不仅针对现代电子设备的需求进行了有效的响应，还支持了设备在高效能、高可靠性的运行环境中发挥最佳性能。凭借其扎实的技术参数，这些二极管能够在多种应用中表现出色。无论是快速开关还是低功耗电流控制，BAS116H 和 BAS115 都是优秀的选择。选择安世的产品，意味着选择了高质量和高可靠性的保证。