晶体管类型 | 2 PNP(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMT1,115是一款高性能PNP双极结晶体管(BJT),由知名电子元器件供应商Nexperia(安世半导体)生产。这款产品封装为6-TSSOP,具有紧凑的外形和优秀的电气性能,非常适合高频电路、信号开关与放大应用。在现代电子设备中,PUMT1,115被广泛应用于无线通信、音频放大器和各种开关电源等领域。
PUMT1,115主要应用于各类电子电路中,包括:
PUMT1,115是一款集成化高效能的PNP双极结晶体管,凭借其突出的电气性能和优越的工作特性,成为现代电子产品设计的理想选择。无论是在自动化控制系统、通信设备,还是在音频与视频应用中,PUMT1,115都能为工程师带来高效、可靠的解决方案。其优秀的技术参数和广泛的适用性,使得PUMT1,115在电子元器件市场中占据了一席之地。