PUMT1,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PUMT1,115

商品编码: BM0058398860
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.027g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 40V 100mA PNP SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.251
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.251
--
200+
¥0.162
--
1500+
¥0.14
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMT1,115参数

晶体管类型2 PNP(双)集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce40V额定功率300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

PUMT1,115手册

PUMT1,115概述

产品概述:PUMT1,115 PNP 晶体管

一、产品简介

PUMT1,115是一款高性能PNP双极结晶体管(BJT),由知名电子元器件供应商Nexperia(安世半导体)生产。这款产品封装为6-TSSOP,具有紧凑的外形和优秀的电气性能,非常适合高频电路、信号开关与放大应用。在现代电子设备中,PUMT1,115被广泛应用于无线通信、音频放大器和各种开关电源等领域。

二、关键参数

  1. 晶体管类型:PNP (双)
  2. 集电极电流 (Ic): 最大值为100mA,使其能在中等功率范围内可靠工作。
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为40V,确保在高电位环境下的稳定性。
  4. 功率消耗 (Ptot): 额定功率为300mW,满足多种应用场景的需求。
  5. 饱和压降 (Vce(sat)): 不同Ib、Ic时最大为200mV (在5mA和50mA时测试),表现出效率和功耗的良好平衡。
  6. 电流截止 (ICBO): 最大值为100nA,能够有效减小在关闭时的漏电流。
  7. 直流电流增益 (hFE): 在1mA, 6V时最小为120,确保信号放大的有效性与可靠性。
  8. 频率跃迁: 具有高达100MHz的频率响应,适用于高频应用。
  9. 工作温度: 该晶体管的工作温度范围达到150°C (TJ),使其在恶劣环境下也能安全工作。
  10. 封装格式: 6-TSSOP、SC-88、SOT-363,具有较小的占板面积,非常适合于大规模集成电路设计。

三、应用场景

PUMT1,115主要应用于各类电子电路中,包括:

  • 无线通信:用于信号放大和开关,保证数据传输的稳定性和可靠性。
  • 音频放大器:在音频应用中,该晶体管可以有效地放大音频信号,提供优质的音频效果。
  • 开关电源:在电源转换器中,PUMT1,115能够担当开关角色,以实现高效的电源管理。
  • 传感器接口:在各种传感器电路中,该器件可以作为信号调理、开关和放大的元件。

四、设计优势

  1. 高性能: PUMT1,115具有非常优越的电气性能,能在较高频率下稳定工作,适合于多种复杂电路设计。
  2. 紧凑封装: 6-TSSOP封装不仅节省PCB空间,而且有利于大规模生产,为设计师提供灵活的电路布局选择。
  3. 成本效益: 作为Nexperia的产品,PUMT1,115代表了高品质与合理价格的完美结合,帮助工程师控制成本的同时又不妥协于性能。
  4. 高可靠性: 采用高温工作环境下的设计,使得该元器件在工业级应用中展现出优越的耐用性和可靠性。

五、结论

PUMT1,115是一款集成化高效能的PNP双极结晶体管,凭借其突出的电气性能和优越的工作特性,成为现代电子产品设计的理想选择。无论是在自动化控制系统、通信设备,还是在音频与视频应用中,PUMT1,115都能为工程师带来高效、可靠的解决方案。其优秀的技术参数和广泛的适用性,使得PUMT1,115在电子元器件市场中占据了一席之地。