直流反向耐压(Vr) | 30V | 平均整流电流(Io) | 500mA |
正向压降(Vf) | 500mV @ 500mA | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 500mV @ 500mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500µA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 30pF @ 1V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-882 |
供应商器件封装 | DFN1006-2 | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
PMEG3005EL,315 是一款高性能的肖特基二极管,主要应用于高效整流和开关电源设计。该元器件由知名品牌 Nexperia(安世)制造,以其卓越的电气特性和可靠性广受欢迎。其设计结合了先进的材料科技,确保了低正向压降和快速恢复特性,使其在低功耗和高频应用中表现出色。
低正向压降: PMEG3005EL,315 的正向压降为 500mV,意味着在 500mA 的负载下,此二极管产生的功耗极低,从而提高了整体电源的效率。这在需求高效能和低发热量的应用中尤为重要,如电源供应器和LED驱动器等。
高反向耐压: 该二极管的最大直流反向耐压为 30V,使其可以在多种环境中灵活应用,特别是在需要处理短时间高电压脉冲的场景中。
快速恢复时间: PMEG3005EL,315 提供的快速恢复特性,恢复时间少于 500ns,对于开关频率更高的应用尤为关键,能够有效降低开关损耗,提高系统效率。
卓越的反向泄漏能力: 反向泄漏电流在 30V 时仅为 500µA,这不仅有助于提升器件在高温环境下的稳定性,而且能减少电源的待机能耗,对于各类便携式和电池供电设备尤为重要。
电容量: 在1V和1MHz的情况下,电容达到了30pF,这为高速信号处理提供了理想的条件,适合用于数据转换和RF应用。
PMEG3005EL,315 的封装类型 DFN1006-2(即 SOD-882)具有出色的热管理能力和空间节省设计,使其适合高密度表面贴装配置。这对现代电子设备的微型化与高集成度具有重要意义。通过简化的焊接流程,其兼容性与自动化生产流程相得益彰。
PMEG3005EL,315 是一款集高效、低能耗和快速响应于一身的肖特基二极管,适合多种应用场景,在现代电子设备中无处不在。无论是在高效电源设计、移动设备还是消费电子产品中,PMEG3005EL,315 的性能优势都值得信赖,是设计工程师实现高效能和稳定性的理想选择。