PMEG2020EJ,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMEG2020EJ,115

商品编码: BM0058398853
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-323F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 独立式 450mV@2A 20V 2A SOD-323F
库存 :
20086(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.441
--
1500+
¥0.383
--
3000+
¥0.339
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG2020EJ,115参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容60pF @ 5V,1MHz
二极管类型肖特基速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流 (Io)2A(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)525mV @ 2A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)20V工作温度 - 结150°C(最大)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200µA @ 20V

PMEG2020EJ,115手册

PMEG2020EJ,115概述

PMEG2020EJ,115 产品概述

概述

PMEG2020EJ,115是一款由安世半导体(Nexperia)推出的高性能肖特基二极管,其独立型设计具有出色的电流整流能力和低正向电压降特性,特别适用于需要快速响应和高效率的电源管理、电压调节和信号整流应用。该产品的封装类型为SOD-323F,适合表面贴装,便于现代电子设备的小型化和集成化设计。

关键参数

  1. 电流能力

    • 平均整流电流(Io):2A(DC)
    • 这使得PMEG2020EJ可以轻松应对较高负载条件,适用于电源模块、充电器和其他功率相关的电路。
  2. 正向电压降(Vf)

    • 在2A电流下,其正向电压降为525mV,显著低于传统二极管,能够降低功耗并提升系统整体效率。
  3. 反向电压(Vr)

    • 最大反向电压为20V,此特性让该二极管能够在多种应用中提供足够的安全裕度,避免击穿风险。
  4. 反向泄漏电流

    • 在20V下的反向泄漏电流为200µA,这一指标在高温和高电压环境下尤为重要,能够保证系统的稳定性和可靠性。
  5. 工作温度

    • 结温最大值为150°C,确保其在严苛环境下的稳定运行,适用于高温应用场合,如LED驱动、电源管理和高效电机控制等。
  6. 频率特性

    • 快速恢复特性(恢复时间小于500ns),适合高频率电源转换应用,如开关电源和DC-DC转换器,有助于提高开关频率并降低开关损耗。

应用领域

PMEG2020EJ,115因其具有卓越的性能,广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 在电源模块中作为整流二极管,以实现高效的电能转换与管理,降低能量损失。

  • 充电器: 适用于各种充电器电路中,提升充电速度和效率,同时保证安全操作。

  • LED驱动: 在LED驱动电路中,保证低正向电压降,提升驱动效率,从而延长LED的使用寿命。

  • 信号整流: 用于信号调节和整流电路,提供快速和稳定的响应,适合高频信号的处理。

封装与安装

PMEG2020EJ,115采用SOD-323F封装,尺寸紧凑,适合表面贴装(SMD)工艺,能够有效节省电路板空间。这一封装形式也支持自动化生产过程,提高了制造效率。同时,其良好的热导性能确保了在高功率应用中能够有效散热,维护稳定的工作温度。

总结

作为一款高性能的肖特基二极管,PMEG2020EJ,115凭借其低正向电压降、高反向电压耐受能力、良好的整流性能和适应高温环境的能力,成为许多现代电子产品中理想的选择。其独特的电流处理能力和快速恢复特性,使得它在许多关键应用领域具备了显著的优势,是实现高效、稳定电能管理与转换的关键元件。无论是在电源设计、充电技术还是信号处理中,PMEG2020EJ,115都能提供令人满意的解决方案。