PMEG6010AESBYL 产品实物图片
PMEG6010AESBYL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMEG6010AESBYL

商品编码: BM0058398829
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DSN1006-2
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 625mV@1A 60V 1A DFN-2(0.6x1)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.65
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.65
--
150+
¥0.464
--
1000+
¥0.421
--
5000+
¥0.398
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG6010AESBYL参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容20pF @ 10V,1MHz
二极管类型肖特基速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)625mV @ 1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60V工作温度 - 结150°C(最大)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏650µA @ 60V反向恢复时间 (trr)2.4ns

PMEG6010AESBYL手册

PMEG6010AESBYL概述

PMEG6010AESBYL 产品概述

概述

PMEG6010AESBYL 是一款由安世半导体(Nexperia)制造的高性能肖特基二极管,具有出色的电气性能和可靠性,专为高效率电源管理和信号整流应用而设计。其表面贴装型封装(DSN1006-2)使得该元器件非常适合于现代电子产品的紧凑布局,提高设计的布局灵活性和焊接效率。

基本参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 电容: 20pF @ 10V, 1MHz
  • 二极管类型: 肖特基二极管
  • 最大反向电压 (Vr): 60V
  • 平均整流电流 (Io): 1A
  • 正向电压 (Vf): 625mV @ 1A
  • 反向泄漏电流: 650µA @ 60V
  • 反向恢复时间 (trr): 2.4ns
  • 工作温度范围: -55°C 到 +150°C

性能特点

  1. 低正向电压降: PMEG6010AESBYL 的正向电压降仅为625mV @ 1A,这使得其在低功耗应用中非常有利,减少了功率损耗,提高了系统效率。

  2. 高反向电压能力: 该器件的最大反向电压可达到60V,能够满足大多数电源和电流整流应用的需求。

  3. 快速恢复特性: 其反向恢复时间(trr)为2.4ns,这对于频繁切换的应用场景尤为重要,如开关电源和逆变器。

  4. 高温工作能力: PMEG6010AESBYL 允许的工作结温高达150°C,使其在高温环境下运行也能保持良好的性能,适用于汽车、工业控制等高温恶劣环境。

  5. 优越的反向泄漏特性: 在高达60V的应用中,其反向泄漏电流仅为650µA,帮助降低系统的待机功耗,提升可靠性。

应用场景

PMEG6010AESBYL 被广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 适合DC-DC转换器、AC-DC适配器和电池充电器的整流面。
  • 逆变器和电机驱动: 高频率下,需要快速反向恢复的肖特基二极管可有效提升系统的工作效率。
  • 汽车电子: 在要求高温操作与高稳定性的场合,PMEG6010AESBYL 提供了可靠的表现,确保汽车电子系统的安全与稳定。
  • 便携式设备: 凭借紧凑的封装和低功耗特性,适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中。

设计考虑

在设计电路时,工程师需要考虑该二极管的电流和电压特性,以确保在实际应用中不会超过其额定范围。此外,结合整个电路的热管理设计,确保器件的结温在安全范围之内,可以显著提高系统的可靠性和使用寿命。

结束语

PMEG6010AESBYL 肖特基二极管不仅以其出色的电气特性提供了高效的性能支持,而且由于其极小的封装设计,使得现代电子产品设计更为灵活,能够满足日益增长的市场需求。作为安世半导体品牌下的优质元件,PMEG6010AESBYL 无疑是工程师在选择整流器件时的理想选择。