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IRFS7530TRL7PP
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-263-7
包装 :
编带
重量 :
1.73g
描述 :
场效应管(MOSFET) 375W 60V 240A 1个N沟道 TO-263-7
库存 :
44(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
7.8按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.8
--
100+
￥7.725
--
800+
￥7.5
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFS7530TRL7PP参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 240A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3.7V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.4mΩ @ 100A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 375W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 100A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 354nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12960pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK（7-Lead） | 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
IRFS7530TRL7PP手册
无数据
IRFS7530TRL7PP概述
IRFS7530TRL7PP 产品概述
产品名称： IRFS7530TRL7PP
品牌： 英飞凌（Infineon）
类型： N沟道MOSFET
封装类型： TO-263-7
应用领域： 开关电源、DC-DC转化器、电动汽车、工业控制、以及高效能电源管理系统等。
关键参数
IRFS7530TRL7PP 是英飞凌公司出品的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要技术规格包括：
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 持续漏极电流（Id）: 25°C的环境下可达240A（在适当的散热条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th）: 3.7V @ 250µA，表明了MOSFET开通所需的最小栅源电压。
- 漏源导通电阻（Rds(on）: 1.4mΩ @ 100A, 10V，表示在高电流下的优异导电性能，能够有效降低开关损耗。
- 最大功率耗散（Pd）: 375W（在250°C时，以适当的散热条件下），表明了其在高功率应用中的适用性。
- 工作温度范围: -55°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠性。
物理特性
该器件采用TO-263-7封装设计，结合表面贴装技术，提供良好的散热性能和安装便利性。该封装不仅有效利用了板级空间，同时也兼顾了器件的散热管理能力。
电气特性
IRFS7530TRL7PP的输入电容（Ciss）在25V时为12960pF，极低的输入电容使其能够快速开关，适合高速开关应用。栅极电荷（Qg）最大值为354nC @ 10V，这使得驱动电路设计更加简便，降低了开关损耗。
应用优势
此款MOSFET适用于多种电力电子应用，可在高电流和高频开关条件下发挥出色性能。其低Rds(on)和高热功耗处理能力，使得该器件在功率管理、汽车电子以及工业控制中日益受到青睐。
典型应用场景
- 开关电源（SMPS）: 在AC-DC及DC-DC转换系统中充当主开关，以高效地转化电能。
- 电动汽车驱动系统: 作为逆变器中的功率开关，实现高效能电机驱动。
- 电子负载及电源驱动: 在高负载下提供稳定的电流输出，满足工业自动化需求。
- 功率放大器: 在RF应用中作为输出级开关器件，实现增强信号的放大效果。
总结
IRFS7530TRL7PP是一款具有高功率密度、高效能、宽工作温度范围的N沟道MOSFET，适合各种高频开关和功率管理应用。作为英飞凌的明星产品之一，它凭借卓越的电气特性和物理设计，为客户提供了高效的解决方案，助力现代电子应用的高效与安全。无论是在极端环境下工作，还是在高负载条件下，IRFS7530TRL7PP都展现出其优越的性能和可靠性，是现代电力电子设计中不可或缺的重要元器件之一。