封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) | 存储器类型 | 非易失 |
存储容量 | 2Mb(256Kx8) | 电源电压 | 2.7V~3.6V |
存储器格式 | 闪存 | 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
技术 | 闪存 | 存储器接口 | SPI |
时钟频率 | 80MHz | 写周期时间 - 字,页 | 10µs |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
SST25VF020B-80-4I-SAE-T 是一款由美国微芯科技(Microchip)出品的高性能串行闪存存储器。其采用了先进的半导体技术,具备2Mb(256Kx8)存储容量,专为嵌入式系统和各种存储应用而设计。该IC具有高达80MHz的SPI时钟频率,适合对数据传输速率和存储性能有较高要求的应用场景。
高可靠性与非易失性: SST25VF020B-80-4I-SAE-T 的非易失性特性确保在断电或重启后,存储在其内部的数据信息不会丢失,因此非常适合需要长期存储数据的应用。
快速数据访问: 该元件支持高达80MHz的SPI(Serial Peripheral Interface)时钟频率,能够在高速读写操作中提供快速的数据访问响应,这对于嵌入式系统中的程序代码和数据存储尤为重要。
灵活的电源管理: 其工作电压范围为2.7V到3.6V,可以适应不同电压要求的系统设计,保证在各种电源条件下正常运行。
广泛的工作温度范围: 此器件设计为在-40°C到85°C的宽广温度范围内可靠工作,适合汽车、工业控制及其他恶劣环境的应用需求。
短写周期: 其写周期时间仅为10µs,使得数据写入过程高效,适用于快速序列数据的处理需求。
SST25VF020B-80-4I-SAE-T 适用于如下应用:
SST25VF020B-80-4I-SAE-T 是一款极具竞争力的串行闪存解决方案,其丰富的功能、极高的可靠性及广泛的应用范围,使其成为现代电子产品设计的理想选择。无论是在严苛的环境条件下,还是在对性能要求极高的嵌入式系统中,此存储器都能确保出色的性能表现,为设计人员提供了强有力的支持。选择 SST25VF020B-80-4I-SAE-T ,为您的项目添加先进的存储解决方案,提升产品的整体性能与可靠性。