AO3480 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3480

商品编码: BM0058398728
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
0.044g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.455
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.455
--
200+
¥0.294
--
1500+
¥0.255
--
3000+
¥0.226
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3480参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.7A
栅源极阈值电压1.45V @ 250uA漏源导通电阻26.5mΩ @ 5.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W类型N沟道

AO3480手册

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AO3480概述

AO3480 产品概述

AO3480 是一款高效能N沟道场效应管(MOSFET),设计用于在各种电子应用中提供优越的开关性能和热管理能力。其参数使其特别适合用于高频率和高功率的电源管理以及其他需要高效能和低导通损耗的应用场景。

主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): AO3480 的额定漏源电压为30V,适合用于轻负荷的开关电源、LED驱动器和电池供电设备。这一电压等级可确保MOSFET在大多数常见工作环境下稳定运行,保护负载不被过高的电压损害。

  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,AO3480的连续漏极电流为5.7A,能够很好地应对中等电流应用的需求。同时,该元件在较高的工作温度下也可保持其可靠性,适合多种工业应用。

  3. 栅源极阈值电压: AO3480的栅源阈值电压为1.45V @ 250µA,这使得它能够在较低电压信号下有效开启,有利于数字电路和低电压控制系统中对功率器件的驱动。

  4. 漏源导通电阻: 在5.7A和10V的条件下,漏源导通电阻为26.5mΩ。低导通电阻确保了在工作状态下的功耗降到最低,从而提升电路的整体效率,并降低热耗散,这对提高整体电源效率至关重要。

  5. 最大功率耗散: AO3480在25°C环境下的最大功率耗散为1.4W,这使其适合于热管理设计良好的电路。由于其相对较小的封装和良好的散热性能,AO3480适合于很多空间受限的应用场合。

封装与设计

AO3480采用SOT-23封装,这是一种常见的小型表面贴装封装类型。SOT-23封装的优势在于其小尺寸及适合自动化生产的特性,能有效减少电路板上的空间占用,同时能够在高速应用中提供良好的电气性能。

应用场景

AO3480适合用于以下多种应用场景:

  • 电源管理: 在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统中,AO3480的高效表现能够显著提高系统的能效,延长电池寿命。

  • LED 驱动: 对于LED照明应用,AO3480可作为驱动开关,确保稳定的电流输出,提升LED光源性能。

  • 便携设备: 在智能手机、平板电脑等小型便携设备中,AO3480能够支持高频率的开关操作,提升设备的续航能力。

  • 工业自动化: 在各种工业应用中,AO3480可用于电动机驱动、继电器驱动等场合,提高系统的稳定性和可靠性。

结论

AO3480 N沟道MOSFET以其优越的性能参数和小巧的封装设计,适用于多种电子应用中的高效能需求。它不仅能够降低能耗,还能在电源管理方案中提供稳定的工作信号。选择AO3480将是推进您的产品开发和优化的重要一步,助力于提升整体的产品性能与市场竞争力。