安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A |
栅极电荷 | 64nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.5V @ 15V,10A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 30A |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 190µJ(开),160µJ(关) |
测试条件 | 400V,10A,26 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 150W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 12ns/168ns | 反向恢复时间 (trr) | 72ns |
IKD10N60RFATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有600V的最高集射极击穿电压(Vce)和最大电流(Ic)额定值为20A。此器件采用表面贴装(SMD)封装类型TO-252-3(DPAK),专为高效能功率转换应用而设计。它的独特性能使其在电源管理、可再生能源系统、以及工业自动化领域得到广泛应用。
IKD10N60RFATMA1 具有出色的电子性能,关键参数包括:
IKD10N60RFATMA1的输入类型为标准输入,这使得其与大多数标准驱动器兼容,简化了电路设计。其栅极电荷为64nC,反映出开关速度与驱动功耗之间的良好平衡。
在开关特性方面,IKD10N60RFATMA1表现优异:
IKD10N60RFATMA1 适用多种高性能应用,例如:
IKD10N60RFATMA1 是一款具备多种优势的IGBT产品,其卓越的电气特性和广泛的适用性,使其成为高效能功率电子设计的理想选择。无论是在高温环境下和极限条件下,其优异的性能都能提供可靠支持,为各种工业应用及可再生能源系统提供了重要的元件保障。无论是电源管理还是电动汽车,IKD10N60RFATMA1 都是用户在设计时值得考虑的重要元器件。