IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 88pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
IRF5801TRPBF手册
IRF5801TRPBF概述
IRF5801TRPBF 产品概述
基本信息：
IRF5801TRPBF 是一款高性能、低导通电阻的 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计旨在满足对高电压和中等电流应用的需求。这款 MOSFET 的最大漏源电压（Vds）可达 200V，连续漏极电流（Id）为 600mA，适用于多种电源管理和开关应用。
技术规格：
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta）
- 驱动电压：最大 Rds On，最小 Rds On 为 10V
- 导通电阻（最大值）：在不同 Id 和 Vgs 下，最大导通电阻为 2.2 欧姆（@ 360mA，10V）
- 阈值电压（Vgs(th) 最大值）：5.5V（@ 250µA）
- 栅极电荷 (Qg) 最大值：3.9nC（@ 10V）
- Vgs（最大值）：±30V
- 输入电容（Ciss 最大值）：88pF（@ 25V）
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型：表面贴装型，特别是 Micro6™（TSOP-6）和 SOT-23-6 封装
应用场景：
IRF5801TRPBF 的特性使其在多种应用中表现出色，包括但不限于：
电源管理：由于其高耐压和优异的导通特性，这款 MOSFET 可以有效用于开关电源、降压转换器和升压转换器中。
电机控制：IRF5801TRPBF 能够承受较高的电压和功率，因此非常适合用作电机驱动电路中的开关元件，能够有效控制电机的启停和调速。
便携式设备：此器件的超小封装类型（TSOP-6）使其非常适合用于便携式电子设备，尤其是在空间受限的情况下。
工业自动化：在传感器和执行器的接口电路中，IRF5801TRPBF 能够实现快速开关和高效电源控制，满足各种行业需求。
汽车电子：该型号的高耐压能力使其适合用于汽车电子系统中，如电动助力转向、车灯控制等应用。
性能优势：
低导通电阻：IRF5801TRPBF 的低 Rds(on) 特性意味着在工作中将产生较少的功率损耗，有助于提升系统的整体能效。
高开关速度：由于其较小的栅极电荷(Qg)，IRF5801TRPBF 在开关时能实现高频率的操作，这对于高频电源转换器等应用尤为重要。
广泛的工作温度范围：能够在-55°C 至 150°C 的极端温度下稳定工作，使其适合用于各种工业和汽车应用环境。
易于集成：表面贴装型的设计使其在PCB布局时更加灵活，减小了组件的占用空间，方便实现高密度设计。
强大的耐压能力：200V 的漏源电压使其能够在高电压应用中安全稳定地运行，进一步扩展了其应用范围。
结论：
总的来说，IRF5801TRPBF 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和小巧的封装设计，广泛适用于各种电子应用。其低导通电阻和高开关速度特别适合于对能效及小型化要求较高的应用场合。作为英飞凌品牌产品，IRF5801TRPBF 继承了严格的制造标准和质量控制，为设计工程师提供了强有力的工作平台，支持其在不断提升效能和减小体积的同时，满足多样化的市场需求。