SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.3nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
SI5515CDC-T1-E3手册
SI5515CDC-T1-E3概述
SI5515CDC-T1-E3 产品概述
一级概述
SI5515CDC-T1-E3 是一款高效能的N/P沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计，具有出色的导通特性和热管理能力。产品制造商为著名的电子元器件供应商VISHAY（威世），该器件不仅适用于逻辑电平门驱动，还可广泛应用于各类功率管理电路、开关电源和电动机控制系统。
二级参数
SI5515CDC-T1-E3 以其以下关键基本参数而受到关注：
漏源电压（Vdss）：最高可承受20V的漏源电压，满足了多种低压电路的要求，能够确保在大多数应用环境下的可靠性。
连续漏极电流（Id）：在室温下（25°C）该器件能够提供高达4A的连续漏极电流，确保在负载变化时仍能保持稳定的工作状态。
导通电阻（Rds(on)）：在特定电压和电流条件下，导通电阻最大值为36毫欧（在6A、4.5V条件下），这意味着SI5515CDC-T1-E3在工作时能够显著降低功率损失，提高能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为800mV（在250µA），使其在低电平驱动条件下能够快速导通。
栅极电荷（Qg）：该器件在5V栅极驱动下，栅极电荷最大值为11.3nC，确保高转换频率电路的快速响应性。
输入电容（Ciss）：在10V时的输入电容为632pF，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
功率管理：SI5515CDC-T1-E3的最大功率额定值为3.1W，既可在高负载情况下工作，也适合于系统的热管理设计。
温度适应性：工作温度范围从-55°C至150°C，适合高温和恶劣环境下的应用。
三级封装与安装
SI5515CDC-T1-E3采用1206-8 ChipFET™表面贴装型封装，设计其体积小巧，非常适合于空间有限的印刷电路板（PCB）中。同时，扁平引线结构和优化的引脚布局易于自动化贴装，提高了生产效率。
四级应用场景
SI5515CDC-T1-E3广泛应用于以下领域：
功率转换电路：如开关电源、DC-DC转换器等，能够有效提升能源转换效率，减少产生的热量。
电机驱动控制：在DC电机控制中可实现精确控制与调速，确保电机运行的平稳性和稳定性。
逻辑电平电路：该器件极其适合应用于逻辑电平电路中，例如在各种数字电路的信号开关。
电池管理系统：在电池充放电控制、电量监测等网络中引入快速开关特性，提升电池使用寿命。
结论
总而言之，SI5515CDC-T1-E3是一款具有高性能、高可靠性和多样化应用场景的280电压范围MOSFET，凭借卓越的电气参数、出色的热管理能力及小巧的封装设计，必然会成为现代电子设备中的重要组件。无论是对电源管理、信号处理还是电机控制需求，高效的MOSFET都为设计工程师提供了灵活的设计解决方案。