SI7956DP-T1-E3
SI7956DP-T1-E3参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 4.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V | 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
SI7956DP-T1-E3手册
SI7956DP-T1-E3概述
SI7956DP-T1-E3 产品概述
SI7956DP-T1-E3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的高性能 N-通道场效应管（FET），其设计特别适用于逻辑电平门应用。该器件采用 PowerPAK® SO-8 双封装，具有小型化、可靠性高等优点，非常适合在现代电子设备中进行表面贴装。
主要参数
FET 类型及功能： SI7956DP-T1-E3 是一款双 N-通道FET，尤其适合用于逻辑电平驱动应用。其逻辑电平特性使得这款FET在低电压操作时同样能够提供出色的导通性能。
漏源电压： 该产品的漏源电压（Vdss）高达 150V，这意味着它能够在高电压环境中稳定工作，适合用于电源管理、负载开关等高电压场合。
电流规格： 在 25°C 的工作环境下，SI7956DP-T1-E3 支持连续漏极电流（Id）达到 2.6A。这一特性使其适合处理较大的电流负载，为各种应用提供了灵活性。
导通电阻与栅极电压： 在 Id 4.1A 和 Vgs 10V 的条件下，SI7956DP-T1-E3 的最大导通电阻（Rds(on)）为 105 毫欧。这种低导通电阻有效降低了能量损耗，在效率上大大提高。同时，该器件的阈值电压 Vgs(th) 最大值为 4V @ 250µA，这意味着在接近 4V 的栅电压下，它可能会开启，从而满足逻辑电路的需求。
栅极电荷： 此外，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为 26nC @ 10V，显示出其在开关操作时的高效率。这在高频开关应用中，能够有效降低开关损耗，提升整体系统的反应速度。
功率与温度性能： SI7956DP-T1-E3 能承受的最大功率为 1.4W，具备优秀的热性能，使得其在高温工作状态下仍能稳定运行。该器件的工作温度范围广泛，为 -55°C 到 150°C，适用于各种恶劣环境下的应用。
封装与安装
SI7956DP-T1-E3 采用 PowerPAK® SO-8 双封装，其紧凑的设计使得电子电路的布线更加灵活，且能够有效节省电路板空间。该封装特别适合于高集成度设备和小型化设计的需求。
应用领域
得益于其高电压和高电流能力，SI7956DP-T1-E3 可被广泛应用于各类电源管理模块、功率转换器、负载开关、继电器驱动、和其他需要高效率开关的应用。在汽车电子、工业自动化、消费电子等领域，它都能发挥出色的性能。
结论
VISHAY SI7956DP-T1-E3 是一款高效的 N-通道 MOSFET，它在维持高性能输出的同时，具备优异的电气特性和热管理性能。凭借其优秀的电流和电压规格，该器件成为各种高效能控制应用的理想选择，是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在复杂的电源管理系统，还是在高频开关电路中，SI7956DP-T1-E3 都展现了其良好的适应性和高度的可靠性，成为工程师们设计电路时的优选方案。