驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 8V ~ 14V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.2A,1.8A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 118V | 上升/下降时间(典型值) | 15ns,10ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) | 供应商器件封装 | 10-VSSOP |
LM5106MM/NOPB 产品概述
LM5106MM/NOPB 是德州仪器(TI)推出的一款高性能栅极驱动器,特别设计用于半桥配置应用。该驱动器适用于现代功率管理系统,能有效驱动 N 沟道 MOSFET,从而实现高效的电源转换、马达控制和其他高频开关应用。LM5106 对于需要提高效率及兼容高压算法的应用场合表现出色。
驱动配置:LM5106MM/NOPB 采用半桥驱动设计,适合于两块 N 沟道 MOSFET 的配合,使得它广泛应用于 DC-DC 转换器、音频功放、以及电机驱动等领域。
供电电压范围:该驱动器的供电电压范围为 8V 至 14V,这意味着其可以在较低的电压下稳定工作,并适应大多数常见的电子设备需求。
逻辑电压的兼容性:其逻辑电压的输入阈值分别为 VIL = 0.8V 和 VIH = 2.2V,提供了多种逻辑电平兼容性,使其能够与不同类型的微控制器或者数字信号处理器相连接。
峰值输出电流:LM5106MM/NOPB 的峰值输出电流为 1.2A(下拉)和 1.8A(上拉),能够快速充放电栅极电容,从而确保 MOSFET 的快速开关,降低开关损耗。
高速开关时间:在典型情况下,开关上升时间为 15ns,下降时间为 10ns,这使得其适合于高频应用,进而提升整体系统的工作效率。
高压自举能力:高压侧最大自举电压可达 118V,支持高压条件下的操作,拓宽了其在高压电源等应用领域的适用范围。
环境适应性:其工作温度范围为 -40°C 至 125°C,保证了在极端环境下的可靠性,非常适合汽车电子和工业设备等对温度敏感的应用。
LM5106MM/NOPB 采用VSSOP-10封装,这一紧凑型表面贴装封装有助于节省电路板空间,并适于自动化生产线的处理。封装设计考虑了热管理与空间利用,使得其在高密度的电子设计中仍能保持良好的散热特性。
LM5106MM/NOPB 在多个领域中均有广泛的应用。以下是一些典型应用场景:
LM5106MM/NOPB 是一款功能全面、性能卓越的栅极驱动器,能够有效解决现代电子设备在功率管理中的诸多挑战。其兼容多种电压及逻辑环境、出色的开关速度和宽广的工作温度范围,使其成为业界的优选产品。凭借其高峰值电流输出和出色的高压能力,LM5106MM/NOPB 非常适合广泛的应用需求,成为高效电源管理解决方案中的关键组件。无论是汽车电子、消费电子,还是工业自动化,LM5106MM/NOPB 都展示出了极高的应用价值。