2V7002WT1G

2V7002WT1G 产品概述

产品名称: 2V7002WT1G
品牌: ON Semiconductor（安森美）
封装类型: SC-70-3 (SOT323)

一、基本信息

2V7002WT1G 是一款高性能 N 通道 MOSFET 设计用于各种电子电路应用，具有良好的电气特性和热性能。该器件的漏源电压（Vdss）达到 60V，适合要求较高电压操作的场合。其持续漏极电流（Id）在典型工作环境下可达 310mA，表明其在低功耗设计中的高效性能。

二、电气特性

1. 漏源电压及电流:

   • Vdss: 60V
   • Id: 310mA (在 Ta=25°C 条件下)

2. 导通电阻:

   • 最大 Rds(on) 达到 1.6Ω，且测量条件为 10V Vgs 下的 500mA Id。这种低导通电阻能够显著降低在工作中的功耗，提高电路的效率。

3. 阈值电压:

   • Vgs(th) 最大值为 2.5V，在 250µA 的测试电流下确定，表明该 MOSFET 对于低电压信号的灵敏性，能够在较低的驱动电压下有效开启。

4. 栅极驱动与电容特性:

   • 该器件在 4.5V 驱动下的栅极电荷(Qg)为 0.7nC，表明其在开关时具有较小的驱动功率损耗。
   • 输入电容(Ciss) 最大值为 24.5pF，在 20V 时测得，这使其在高频应用场合表现出色。

5. 其它特性:

   • Vgs 最大值为 ±20V，增强了电路的兼容性和安全性。
   • 功率耗散限制为 280mW (Tj)，使得该器件在长时间工作时依然保持稳定性能。

三、工作环境

2V7002WT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使得该器件能够在极其严苛的环境条件下稳定工作。其适用于汽车、工业控制、通信设备等领域，展现出强大的适应能力。

四、封装与安装

该元件采用 SC-70-3（SOT323）表面贴装封装，体积小巧，极适合空间受限的应用场景。表面贴装技术的优势不仅在于提高了生产效率，还增强了电路设计的灵活性，方便高密度集成。

五、应用领域

2V7002WT1G 的特性使其在多个领域内表现出色，主要的应用包括:

• 便携式电子设备: 由于其低功耗特性，该器件适合在移动设备中使用，确保电池寿命延长。
• 自动化设备: 在对电流和电压有严格要求的控制系统中利用其优秀的导通特性和快速开关能力。
• 电源管理: 在开关电源及DC-DC转换器中，能够有效提高系统的总体效率。
• 汽车电子: 在汽车电子控制系统中，通过提供高效的电流开关，保证系统的稳定性和可靠性。

六、总结

综合来看，2V7002WT1G 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，具备出色的电气性能和广泛的应用潜力，能够满足现代电子产品对高效率和低功耗的严格要求。无论是在工业、消费电子，还是汽车领域，该元件都将大放异彩，为设计师提供可靠的解决方案。