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SIHLL110TR-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-261-4，TO-261AA
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W；3.1W 100V 1.5A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
1729(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
2.33按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.33
--
100+
￥1.79
--
1250+
￥1.56
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIHLL110TR-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 900mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.1nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
SIHLL110TR-GE3手册
无数据
SIHLL110TR-GE3概述
SIHLL110TR-GE3 产品概述
概述
SIHLL110TR-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。此器件设计用于在各种电子电路中提供高效的电流开关和放大功能，特别适用于高压和中等电流的应用。该MOSFET的工作电压可以达到100V，以及通过其低导通电阻，这款器件在许多场合中提供良好的电源管理和功率转换性能。
基本技术参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 最大漏源电压（Vdss）: 100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（在Tc条件下）
- 导通电阻（Rds On）: 在5V驱动电压下，900mA时最大值为540毫欧
- Vgs(th)（门源阈值电压最大值）: 2V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 6.1nC @ 5V
- Vgs（最大值）: ±10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为250pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）: 2W（在环境温度Ta条件下），3.1W（在结温Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: SOT-223
封装与安装
SIHLL110TR-GE3 采用 SOT-223 封装，表面贴装型设计意味着它可以方便地应用于多种电路板设计中。SOT-223 封装的紧凑性使得它非常适合于空间受限的应用，同时具备良好的热散能力，为高功率应用提供支持。这种封装适合于自动化生产线操作，提升了生产效率和可靠性。
应用场景
由于其高工作电压、适中的电流能力以及低导通电阻，SIHLL110TR-GE3 MOSFET 适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件在DC/DC转换器中，以提高效率及降低能耗。
- 马达控制: 在电动马达驱动电路中作为控制开关，便于精确调节电流。
- LED 驱动: 在大功率LED驱动电路中，提供高效的电源开关解决方案。
- 信号调理: 在射频和音频应用中，用作放大器。
- 电池保护: 在电池管理系统中用作过流保护开关。
性能优势
SIHLL110TR-GE3 MOSFET的设计目标是确保高效能和可靠性。其低导通电阻特性（540毫欧）能够有效降低功耗，特别是在高电流应用中。同时，凭借较大的工作温度范围（-55°C 至 150°C），该器件能够在严苛环境下维持稳定的性能。这为用户提供了更广泛的应用场景，如汽车、工业控制以及消费电子产品。
结论
总的来说，SIHLL110TR-GE3 是一款多功能、高可靠性的N通道MOSFET，符合现代电子产品对性能、功率效率和散热管理的严格要求。无论是在电源管理、马达控制领域，还是在高频信号处理应用中，该器件凭借其卓越的技术参数和性能表现，都是设计工程师实现创新和高效电路的理想选择。通过整合VISHAY的质量保证和高标准生产工艺，SIHLL110TR-GE3 在市场上为用户提供了极具竞争力的解决方案。