NCE65T360D 产品实物图片
NCE65T360D 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE65T360D

商品编码: BM0051222998
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-263
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 101W 650V 11.5A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.21
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.21
--
100+
¥2.57
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE65T360D参数

功率(Pd)101W反向传输电容(Crss@Vds)1.8pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,7A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
漏源电压(Vdss)650V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)870pF@50V连续漏极电流(Id)11.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

NCE65T360D手册

empty-page
无数据

NCE65T360D概述

NCE65T360D 产品概述

产品名称: NCE65T360D
类型: N沟道 MOSFET
封装类型: TO-263
额定功率: 101W
最大工作电压: 650V
最大连续漏极电流: 11.5A

一、引言

NCE65T360D 是一款高性能的N沟道MOSFET,由新洁能(NCE)制造。这款MOSFET设计用于高压应用,最高可承受650V的工作电压,且在11.5A的电流下表现出色。其卓越的电气特性和良好的热性能使其非常适合于电源管理、电机驱动和高频开关等多种应用场景。

二、技术规格

  1. 电气特性:

    • 输入电压(Vgs): 本器件能够在适度的栅极电压下实现快速开关,适合PWM控制应用。
    • 漏极电流(Id): 最大连续漏极电流为11.5A,使得它在高负载条件下依然能够稳定工作。
    • 漏极-源极击穿电压(Vds): 最大650V的工作电压确保了它可以处理高电压环境,适用于各种电源转换应用。
    • 导通电阻(Rds(on)): 具有较低的导通电阻,能够有效地降低功耗,提高整体效率。
  2. 封装特点:

    • TO-263封装: 该封装提供优良的散热性能,相对于传统DPAK或TO-220封装,其体积更小,可以有效节省电路板空间。此外,这种封装形式方便自动化生产,降低了生产成本。

三、应用领域

NCE65T360D广泛用于各种高电压、大电流的电力电子应用,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源(SMPS)中作为主要的开关器件,用于提升转换效率和稳定性,尤其是在DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路中。
  • 电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动应用中,作为开关器件,控制电机启停及调速。
  • 照明控制: 在LED驱动电路中,作为高效的开关组件,有助于降低能耗和延长LED的使用寿命。
  • 电池管理系统(BMS): 在锂电池管理系统中用来实现电池的充放电控制,以确保电池的安全和高效运作。

四、优点和优势

  1. 高可靠性: NCE65T360D的设计考虑到了严苛的工作环境,能够在高负载下稳定工作而不失效,适合工业应用。
  2. 优异的开关特性: 优化的门极驱动能力使得开关速度更快,开关损耗低,从而提高了整体能效。
  3. 良好的热性能: TO-263封装的散热性能在一定程度上降低了器件的温升,从而提升了产品的可靠性。
  4. 兼容性强: 作为N沟道MOSFET,其在电路设计中具有广泛的适用性,能够很好地兼容当前主流的驱动电路。

五、结论

NCE65T360D是一款具备高压、高电流能力的N沟道MOSFET,适用于多种功率电子应用。它的设计旨在结合优异的电气特性、良好的散热性能和高可靠性,为客户提供稳定、高效的电子解决方案。无论是在电源管理还是电机控制领域,NCE65T360D均能发挥其独特的优势,是电子工程师们理想的选择。