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IRFH6200TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
PQFN-8(5x6)
包装 :
编带
重量 :
0.188g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.6W；156W 20V 49A；100A 1个N沟道 PQFN-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.94按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.94
--
100+
￥5.79
--
1000+
￥5.36
--
2000+
￥5.11
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFH6200TRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Ta），100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.95 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 150µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 230nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10890pF @ 10V |
IRFH6200TRPBF手册
无数据
IRFH6200TRPBF概述
IRFH6200TRPBF 产品概述
1. 产品简介
IRFH6200TRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET。作为 HEXFET® 系列的一部分，该产品凭借其优越的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，成为许多电源管理和功率转换应用的理想选择。它的设计旨在满足现代电子设备日益增长的能效需求，适用于各种高效能的应用场合。
2. 关键参数
- 电流承载能力: 在 25°C 环境温度下，连续漏极电流可达 49A，而在额定条件下（Tc），则可高达 100A。这使得 IRFH6200TRPBF 在高负载条件下表现出优异的可靠性和稳定性。
- 导通电阻: 该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动下，最大导通电阻仅为 0.95 毫欧（@ 50A），极低的导通电阻有助于减少能量损耗，提高整机效率。
- 漏源电压: 其最大漏源电压（Vdss）为 20V，适合多种低压应用。
- 栅极电压: 最大栅极电压（Vgs）为 ±12V，支持在不同电路设计中的灵活使用。
- 功率耗散: IRFH6200TRPBF 的最大功率耗散为 3.6W（在 Ta 条件下）和 156W（在 Tc 条件下），这使得其在高功率环境中运行时仍具备较强的散热能力。
3. 工作温度范围
该 MOSFET 的工作温度范围在 -55°C 至 150°C（TJ），使其适合于恶劣环境及各种工业应用，确保在极端条件下可靠运行。
4. 封装与安装
IRFH6200TRPBF 采用表面贴装型（SMD）封装，型号为 8-PQFN（5x6mm），在电路板上的占用空间小，有助于提高整体设计的紧凑性和布局灵活性。此外，PQFN 封装具有良好的热性能，确保在高功率工作状态下能有效散热。
5. 应用场景
IRFH6200TRPBF 在多个领域具有广泛的应用潜力，包括：
- 电源管理: 适用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，能够在高能效的条件下稳定运行。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动模块中，该 MOSFET 可以高效切换，降低电机启动和运行中的功耗。
- 汽车电子: 由于其可靠性和耐高温的特性，非常适合于汽车电气设备，例如电动汽车充电器和电源转换装置。
- 工业设备: 在自动化设备和工业控制系统中，该 MOSFET 可用于实现高效的功率管理和控制。
6. 设计考虑
在设计中使用 IRFH6200TRPBF 时，需要考虑其栅极电荷（Qg）指标，最大值为 230nC（@ 4.5V），这意味着在驱动电路中需要选择合适的驱动器以保证快速开关性能。同时，输入电容（Ciss）在 10V 时为 10890pF，设计时应充分考虑输入.drive电路的功率和频率响应。
总结
总的来说，IRFH6200TRPBF 是一款具有高电流承载能力、低导通电阻和宽温工作范围的 N 通道 MOSFET，非常适合用于电源管理、电机驱动及各类工业应用。其 8-PQFN（5x6）小巧封装设计不仅节省板面空间，还确保了良好的散热特性，为高能效电子设计提供了强有力的支持。随着电子技术的不断进步，IRFH6200TRPBF 将在提升系统性能和效率方面发挥愈加重要的作用。