MUN5233T1G
MUN5233T1G参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 202mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
MUN5233T1G手册
MUN5233T1G概述
MUN5233T1G 产品概述
一、产品简介
MUN5233T1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能NPN数字晶体管，采用SC-70-3（SOT-323）封装，专为低功耗和空间受限的应用设计。这款晶体管具有预偏置特性，适合在多种电子电路中扮演重要角色。它的主要参数包括最大集电极电流（Ic）为100 mA，最大集射极击穿电压（Vce）为50 V，能够在多个电子设计中表现出色。
二、技术特点
NPN预偏置： MUN5233T1G使用NPN配置，具备出色的开关性能和放大功能，适合数字电路和模拟电路应用。
电流与电压规格：
- 最大集电极电流（Ic）为100 mA，非常适合用于需要中等电流驱动的负载。
- 最大集射极击穿电压（Vce）为50 V，使得该晶体管能够在较高电压环境中安全工作，提升了电路的可靠性。
电流增益（hFE）：在典型条件下，MUN5233T1G的直流电流增益（hFE）最小可达80，测量条件为5 mA的基极电流与10 V的集射极电压下，这意味着在小信号条件下，该晶体管可以提供较好的增益性能。
饱和压降：对于集电极电流为1 mA和10 mA的情况下，Vce饱和压降最大值可达250 mV。这种低饱和压降特性有助于提高电路的效率，减少功耗。
截止电流（Ic(max)）：在断态时集电极的漏电流最大值仅为500 nA，这使得该晶体管在待机模式下几乎不会消耗电流，从而更适合于低功耗设计。
功率处理能力：MUN5233T1G的最大功率为202 mW，适合在一般操作条件下稳定工作，没有过热的担忧。
封装设计：采用SC-70-3（ SOT-323）封装，体积小巧，利于在空间有限的应用中使用，同时也有助于降低制造成本。这种表面贴装型设计提高了组装效率，适合现代自动化生产线。
三、应用领域
MUN5233T1G 的特性使其适用于多种应用场景，具体包括但不限于：
信号开关：能够有效地控制开关信号，适合用于数字电路，如开关电源、逻辑电路等。
放大器：适合用作低功率放大器，能够增强微弱信号，如传感器信号处理。
功率驱动：可用于驱动小型负载，比如LED驱动或低功率继电器驱动，占用空间少且易于集成。
电子制品：广泛应用于消费电子产品、传感器、无线通信设备及其他需要小信号处理的设备中。
四、总结
MUN5233T1G是一款技术先进、性能可靠的小型NPN数字晶体管，其设计满足了现代电子设备对低功耗和高效率的要求。凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装设计，MUN5233T1G在各种应用中具有广泛的适用性，尤其是在要求空间与功耗的平衡时。无论是在消费电子、工业控制还是其他电子系统设计中，该晶体管都能提供优异的性能与可靠性，是工程师们值得信赖的选择。