PDZVTR8.2B
PDZVTR8.2B参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 容差 | ±6.29% |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-128 | 供应商器件封装 | PMDTM |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 8.75V | 功率 - 最大值 | 1W |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 20µA @ 5V |
PDZVTR8.2B手册
PDZVTR8.2B概述
产品概述：PDZVTR8.2B
PDZVTR8.2B是一款高性能的稳压二极管，来自知名半导体制造商Rohm Semiconductor。这款稳压二极管采用SOD-128封装，是一种面向表面贴装应用的独立器件，广泛用于电源管理和过电压保护电路中。其标称齐纳电压为8.75V，具备良好的温度稳定性和介电强度，适用于多种电子产品的电压稳压要求。
关键特性
电压性能：PDZVTR8.2B的标称齐纳电压为8.75V，工作电压范围为8.2V至9.3V，使其适合于各种需要稳定电压的电路设计。这种低电压摇摆特性使其在电源电路中提供良好的保护，避免电压过高导致的器件损坏。
功率规格：该稳压二极管的最大功耗为1W，允许在特定条件下处理较高的功率负载，从而满足对稳定性和可靠性有较高要求的应用。
反向泄漏电流：在5V反向电压条件下，PDZVTR8.2B的反向泄漏电流仅为20µA，表明其在关断状态下的漏电流极低，从而有助于降低系统功耗并提高电路的整体效率。
热性能：该器件的工作温度可达到150°C（TJ），使其在严苛的环境条件下依然保持稳定工作，适用于工业设备、汽车电子以及高温环境的应用场景。
阻抗特性：PDZVTR8.2B的最大阻抗（Zzt）为4Ω，提供了良好的电压调节性能，有助于在快速变化的负载条件下保持电压的稳定。
应用领域
PDZVTR8.2B稳压二极管因其卓越的电性能和良好的热稳定性，广泛应用于多种电子产品和电路设计，包括：
- 电源管理：在各种电源适配器和转化器中提供稳定的参考电压。
- 过电压保护：有效保护敏感器件不受过电压冲击的影响，延长其使用寿命。
- 信号调节：在模拟信号处理和数据传输中，作为电平限制器，防止信号电压的超限。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，用于电源稳压和保护电路。
竞争优势
与市场上的其他同类产品相比，PDZVTR8.2B具有更低的反向泄漏电流和更宽的工作温度范围，确保其在高温和苛刻环境中的长期稳定性。此外，该器件的设计考虑到了现代电子设备日益增长的功耗需求，能够在处理高功率时保留高效的性能。
结论
综合来说，PDZVTR8.2B是一款高效、可靠的稳压二极管，凭借其优异的电气性能和适应性广泛的工作条件，成为各类电子应用的理想选择。它不仅满足了设计师对电源稳定性的需求，还有助于保护电路免受潜在的过电压损害，是推动现代电子产品设计的重要组成部分。对于希望提高设备可靠性与长期运行稳定性的工程师来说，PDZVTR8.2B无疑是一个不容忽视的优质元件选项。