DMP2160UFDB-7
DMP2160UFDB-7参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 536pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（B 类） |
DMP2160UFDB-7手册
DMP2160UFDB-7概述
DMP2160UFDB-7 产品概述
产品简介
DMP2160UFDB-7 是一款高性能的双 P 沟道场效应晶体管（MOSFET），具备出色的电气特性和可靠的工作性能。该元器件特别设计用于逻辑电平开关应用，适用于各种低电压和高频率的电子电路，尤其是在通信、工业控制和消费电子产品中广泛应用。其高度集成的设计与紧凑的 U-DFN2020-6 封装使其在多种应用场合极具优势。
电气特性
DMP2160UFDB-7 的主要电气特性如下：
漏源电压（Vdss）: 最多可承载 20V 的漏源电压，适合于低电压应用环境。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境条件下，最大连续漏极电流可达 3.8A，使得该器件能够支持大电流负载。
导通电阻（Rds(on)）: 其最大导通电阻为 70 毫欧，测试条件为 2.8A 和 4.5V。这一极低的导通电阻有助于显著降低功耗并提高电路的整体效率。
栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 900mV（在 250µA 下测试），表明该元器件通过较小的栅电压便可开始导通，适合逻辑电平控制。
栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 条件下，栅极电荷最大为 6.5nC。较低的栅极电荷有助于提高开关速度，减少开关损耗。
输入电容（Ciss）: 在 10V 条件下，输入电容最大为 536pF，有助于提高动态响应能力，适合高频应用。
功率能力: 最大功耗可达 1.4W，提供稳定的工作性能与热管理。
工作温度范围: DMP2160UFDB-7 具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，确保在各种严苛环境下的可靠运行。
封装与安装信息: 采用 U-DFN2020-6（B 类）封装，该表面贴装型设计不仅节省空间，同时也简化了PCB布局设计。
应用领域
由于其卓越的电气参数和灵活的封装设计，DMP2160UFDB-7 可广泛应用于：
- 便携式电子设备: 如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
- 电源管理: 在DC-DC转换器及稳压电源中作为开关元件。
- 电机控制: 用于驱动低功率电机的开关电路。
- 电池供电应用: 如电池保护电路及负载开关。
- 通信设备: 在各种通信设备中起到信号开关的作用。
总结
DMP2160UFDB-7 是一款高效、可靠的双 P 沟道 MOSFET，在多种应用中展现出其优越的性能特征。凭借其紧凑的封装和卓越的电气特性，该产品成为设计师在选择开关元件时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理应用中，DMP2160UFDB-7 的表现都能够满足并超越现代电子产品对性能的高标准要求。