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SIR414DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 83W；5.4W 40V 50A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
677(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
7.73按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.73
--
100+
￥6.72
--
750+
￥6.11
--
1500+
￥5.88
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIR414DP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 117nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4750pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 5.4W（Ta），83W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR414DP-T1-GE3手册
无数据
SIR414DP-T1-GE3概述
SIR414DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR414DP-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司制造的高性能N通道MOSFET（场效应晶体管），采用PowerPAK® SO-8封装。该MOSFET具有优秀的电气性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换、马达驱动、以及其他需要高电流和高效率开关的电路中。
关键规格
- FET 类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 连续漏极电流 (Id)：50A（在Tc条件下）
- 驱动电压：4.5V（最大Rds On），10V（最小Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：最大值为2.8毫欧 @ 20A，10V Vgs
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值为117nC @ 10V
- 最大栅极源电压（Vgs(max)）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大值为4750pF @ 20V
- 功率耗散：最大值为5.4W（在环境温度Ta下），83W（在结温Tc下）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：PowerPAK® SO-8
性能优势
SIR414DP-T1-GE3 MOSFET的设计优化了导通电阻和驱动电压之间的平衡，使得在进行高电流操作时能够实现更低的功耗和更高的效率。其最低的导通电阻（Rds On）使得器件在高负载下产生的热量降低，从而有效提升了系统整体的可靠性。
这款器件的工作温度范围广泛，适合于高温环境下的应用，这对许多工业和汽车电子设备尤为重要。同时，它的优越的功率耗散能力（83W在Tc下）确保了其在严苛环境下的高效稳定运行。
应用场景
SIR414DP-T1-GE3特别适用于要求高效率和高导通能力的应用，主要包括但不限于：
- 电源管理：用于DC-DC转换器、电源适配器等场合，帮助提高变换效率，降低能耗。
- 开关电源：广泛应用于各种开关电源中，适合高频开关操作。
- 马达驱动：可应用于电动机控制系统中，能有效控制电机的启动和停止。
- 消费电子：由于其低功耗特性，适合用于平板电脑、智能手机及其他便携式电子设备中。
结论
SIR414DP-T1-GE3作为一款高性能的N通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性和可靠的热管理能力，成为现代电子设计中的理想选择。其广泛的应用领域和丰富的功能使得它在行业内得到了广泛的认可，是追求高效电源解决方案设计者的理想合作伙伴。无论是在高频开关电源、马达驱动还是其他应用中，该MOSFET都能提供持久和稳定的性能表现。