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SIHG22N60E-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-247AC-3
包装 :
管装
重量 :
6.04g
描述 :
场效应管(MOSFET) 227W 600V 21A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
13.85按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.85
--
10+
￥11.55
--
500+
￥10.99
--
5000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIHG22N60E-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SIHG22N60E-GE3手册
无数据
SIHG22N60E-GE3概述
产品概述：SIHG22N60E-GE3 N沟道MOSFET
概述
SIHG22N60E-GE3 是一款由威世（VISHAY）制造的高性能N沟道MOSFET器件，采用TO-247封装，具有极高的漏源电压（Vdss）达600V，能够支持在高电压环境下的广泛应用。此器件兼具高电流处理能力和优异的热管理性能，适用于各类电源管理和电动机驱动应用。
主要技术参数
- 类型: N沟道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 600V，适合高压应用场合
- 持续漏极电流（Id）: 21A（在制冷条件下，Tc=25°C），能够满足大电流需求
- 最大Rds On: 180毫欧 @ 11A, 10V，这一特性在大电流下提供较低的导通损耗
- Vgs(th) 最大值: 4V @ 250µA，确保在合理的栅极驱动电压下进行稳定的开关操作
- 栅极电荷（Qg）: 86nC @ 10V，提供快速开关能力，减少开关损耗
- 最大Vgs: ±30V，确保在大部分控制电路中具备良好的兼容性
- 输入电容（Ciss）: 1920pF @ 100V，适合高频应用
- 功率耗散: 最大227W（Tc），具备优良的散热性能
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，适应各种环境条件
- 安装类型: 通孔，可方便地在多个电路板设计中使用
- 封装类型: TO-247-3，适合需要较大功率散热的场合
应用场合
SIHG22N60E-GE3 的设计使其非常适合作为电源管理、开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC/BUCK-BOOST）、电动机驱动以及电力逆变器等多种应用。在高压、高电流场合中，MOSFET的效率直接影响到整体系统的性能，SIHG22N60E-GE3 的低导通电阻和高功率处理能力使得这一器件在这些领域表现出色。
性能优势
- 高效率: 低导通电阻Rds(on)和小的栅极电荷Qg显著降低了开关和导通损耗，提升了整体系统的能效。
- 散热能力: 高功率耗散能力（227W）伴随优良的热管理设计，使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。
- 温度耐受性强: -55°C到150°C的工作温度范围使得该器件在极端环境下也能可靠工作，适合汽车、工业和民用电子等多种应用。
结论
SIHG22N60E-GE3 通过其出色的电气性能、宽泛的应用范围和高可靠性，成为了现代电子设计中不可或缺的元器件之一。对于需要高效率和高功率支持的电子设备，这款MOSFET无疑是理想的选择。无论是在电源转换器、工业设备，还是在可再生能源领域，SIHG22N60E-GE3 都能提供优异的性能表现，为设计师提供了可靠的解决方案。