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SI2316BDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.25W；1.66W 30V 4.5A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
19(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.37按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.37
--
100+
￥1.9
--
750+
￥1.7
--
1500+
￥1.6
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2316BDS-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），1.66W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2316BDS-T1-GE3手册
无数据
SI2316BDS-T1-GE3概述
SI2316BDS-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI2316BDS-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)公司推出的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)，该器件在多种电子应用中具有出色的性能。其主要特点为低导通电阻、适中的漏源电压和高工作温度范围，使其成为电源管理、负载开关和电动机控制等领域广泛应用的合适选择。
二、关键参数
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C条件下可承受4.5A的电流。
- 驱动电压：
- 最低 Rds On 驱动电压：4.5V
- 最高 Rds On 驱动电压：10V
- 导通电阻（Rds(on)）：
- 最大值为50毫欧，测试条件为3.9A，Vgs=10V。
- 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA条件下最大值为3V，用于确定MOSFET的导通状态。
- 栅极电荷（Qg）：在Vgs=10V时的最大值为9.6nC，影响开关速度和效率。
- 输入电容（Ciss）：在Vds=15V下最大为350pF，影响高频性能。
- 功率耗散：
- 最大功率加权为1.25W（在环境温度下）
- 最大功率加权为1.66W（在结温下）
- 工作温度范围：-55°C至150°C，适合恶劣环境条件。
- 安装类型：表面贴装型，便于自动化生产和小型化设计。
- 封装规格：SOT-23-3（TO-236），具有小尺寸和低封装高度特性。
三、应用领域
SI2316BDS-T1-GE3 MOSFET 主要应用于以下几个领域：
- 电源管理：广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源和线性电源中，帮助确保高效率和稳定输出。
- 负载开关：可用于电池管理系统和功率开关，控制电源开启或关闭，提供过流保护和温度保护功能。
- 电动机控制：在电动机驱动电路中，用于高效率的开关控制和调速，提升系统性能和可靠性。
- 汽车电子：因其高耐温和抗干扰能力，适合用于汽车的电源和信号调节，确保安全与可靠性。
四、性能优势
- 高效能：较低的导通电阻使得SI2316BDS-T1-GE3在高电流条件下具备优异的表现，减少功耗和热量产生。
- 可靠性：广泛的工作温度范围及优良的封装设计使产品在各种环境下均能保持稳定工作。
- 小型化设计：SOT-23-3封装有助于电路板的空间优化，特别适合现代电子产品的缩小设计需求。
五、总结
SI2316BDS-T1-GE3 MOSFET 是一款在行业内具有良好稳定性、广泛适用性和高性价比的电子元件，对于设计人员而言，选择该器件可以提升产品的性能、可靠性和电源管理效率。其卓越的参数和宽广的应用范围，使其成为电子产品设计中的理想选择。无论是在日常消费类电子、电动工具，还是在汽车电子设备中，SI2316BDS-T1-GE3 都展现了其不可或缺的优势。