FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 35A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 55nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3100pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 33W(Tc) | 工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF140N6F7 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各类高效能电源管理和开关电路中。该器件凭借其良好的电气性能和较高的工作温度,成为了工业、汽车和消费类电子产品中不可或缺的核心组件之一。
电气参数:
栅极驱动特性:
热性能:
封装:
STF140N6F7 适用于多种应用,包括但不限于:
STF140N6F7 是一款极具竞争力的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电流处理能力、低导通电阻和出色的热性能,能够满足现代电源管理和开关应用日益增长的需求。无论是在工业、消费类电子还是汽车电子领域,STF140N6F7 都可以作为理想的选择,以实现高效、可靠的系统设计。通过合理的系统设计和使用,STF140N6F7 很可能成为未来电源设计中的核心元件之一。