STW34N65M5

STW34N65M5 产品概述

基本信息与功能

STW34N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道 MOSFET，这款器件特别设计用于高电压和高电流应用，适用于开关电源、逆变器和其他需要高度可靠性的电力电子设备。它的额定漏源电压（Vdss）为650V，极大地扩展了其应用范围，使其适合多种高压工作环境。

主要参数

该 MOSFET 具有以下关键参数：

• 漏源电压（Vdss）: 650V
• 连续漏极电流（Id）: 28A（在封装温度 Tc 下测试）
• 驱动电压（Vgs）: 最大 Rds On 时为 10V
• 导通电阻（Rds On）: 在 10V 驱动电压下，14A 电流时最大值为 110 毫欧
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 5V @ 250μA，意味着栅极电压达到此值时，器件就会开始导通
• 输入电容（Ciss）: 在 100V 时，最大值为 2700pF，确保快速开关特性
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 62.5nC @ 10V，对于高频应用具有优势
• 功率耗散: 最大功率耗散为 190W（Tc），显示出其卓越的散热能力
• 工作温度: 最高使用温度可达 150°C，这使得其在严酷环境下依然可靠工作

封装与安装

STW34N65M5 采用 TO-247-3 封装。这种通孔安装类型的封装设计，确保了良好的热管理和电气连接，非常适合需要强大散热的应用场景。TO-247 封装的设计使得组件在处理高功率时能够有效散发热量，有助于延长器件的寿命并提高整体系统的可靠性。

应用领域

凭借其650V 的高电压能力和28A 的高电流能力，STW34N65M5 非常适用于以下应用：

1. 开关电源转换器：可以在较高的输入电压下高效地工作，减少能量损失。
2. 逆变器：特别适合于太阳能逆变器和不间断电源（UPS），提供稳定的电源输出。
3. 电机驱动：在电动机控制系统中，利用该 MOSFET 可以实现高效的功率调节。
4. 高效能 LED 驱动：利用其低导通电阻和快速切换特性，适用于高亮度 LED 照明系统。

结论

STW34N65M5 MOSFET 是一款在电力电子领域中广泛应用的元件，凭借其出色的性能规格，适用于多种高功率、高电压场合。ST 的设计确保了该器件在高温和恶劣条件下依然可靠运行，从而极大地提升了整个系统的效率与稳定性。对于需要高效率和高可靠性的工程师与设计师而言，STW34N65M5 是一个非常理想的选择。