STP20N65M5
STP20N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1345pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP20N65M5手册
STP20N65M5概述
STP20N65M5 产品概述
STP20N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道 MOSFET，具备出色的电气特性和热管理能力，广泛应用于高压电源、开关电源和其他功率转换器件中。其主要参数包括高达 650V 的漏源电压（Vdss），连续漏极电流（Id）可达 18A，功率耗散能力达到 130W，这使得该器件在高压应用中表现优异。
关键特性与性能
高电压承受能力：STP20N65M5 的最大漏源电压为 650V，适用于需要高额定电压的应用，如太阳能逆变器、工业电源和电动汽车等领域。
导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，当漏极电流为 9A 时，器件的导通电阻（Rds(on)）最大值为 190毫欧。这一特性确保了在工作过程中可实现更低的能量损失和更高的效率，尤其适合频繁开关的场合。
高温耐受性：该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。我能耐受高温的特点非常适合于要求严格的工业应用。
低栅极电荷：STP20N65M5 的最大栅极电荷（Qg）为 45nC，这允许在较低的驱动功率下实现快速开关，减少开关损耗，提升系统效率。这使得它在高频开关应用中特别受欢迎，例如DC-DC 转换器和高效功率放大器。
优良的输入电容：最大输入电容（Ciss）为 1345pF @ 100V，使得在实现高速度开关时，可以降低触发延迟，提高开关效率。
封装设计：STP20N65M5 采用 TO-220-3 封装，提供优良的散热性能，适合于高功率应用。这种封装设计同时也便于安装与维护，适合多种电路布局。
应用领域
由于其卓越的电气参数及热特性，STP20N65M5 适用于多种行业的高性能应用，包括但不限于：
- 开关电源：用于各种电源转换电路，如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
- 电动汽车：在电机驱动和动力管理系统中，支持电源的高效转换与控制。
- 工业自动化：可用于伺服电机驱动器、PLC 电源等工业控制设备中。
- 太阳能逆变器：在绿色能源应用中，实现可再生能源的高效转换。
总结
STP20N65M5 是一款高效、高压、高功率的 N 通道 MOSFET，凭借其优良的导通电阻，强大的电流承受能力和宽广的工作温度范围，使其成为现代电力电子设计中不可或缺的元器件。无论是工业应用还是消费电子，它的多样性和高效性都为系统的整体性能提供了极大的提升。同时，其 TO-220 封装设计也为设备的散热和安装提供了极大的便利，是商业和工程领域中的理想选择。