STL16N60M2

STL16N60M2 产品概述

一、基本信息 STL16N60M2 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款 N 通道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有600V的漏源电压和8A的连续漏极电流，专为高压应用而设计。该器件采用创新的 PowerFlat™（5x6）HV 封装，适合需要紧凑设计且散热能力强的电子电路。

二、主要参数

1. 漏源电压（Vdss）：600V，适用于高压电源和开关电路应用。
2. 连续漏极电流（Id）：8A（Tc=25°C），提供稳定的电流输出能力。
3. 导通电阻（Rds On）：最大值为355毫欧，在4A, 10V驱动条件下表现优异，能够有效降低开关损耗和功耗。
4. 驱动电压（Vgs）：在10V条件下，器件提供最佳的 Rds On，确保电路的高效运行。
5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V（@250µA），确保在较低的栅极电压下也能够快速启动。
6. 栅极电荷（Qg）：最大值为19nC（@10V），有助于迅速和高效的切换。
7. 输入电容（Ciss）：在100V时，最大值为704pF，允许高频操作。
8. 功率耗散：最高可达52W，适应多种应用场景中的功率需求。
9. 工作温度范围：可在高达150°C的环境温度下工作，适合恶劣工作条件下的应用。
10. 封装类型：采用表面贴装的PowerFlat™（5x6）HV封装，具备较强的散热性能和小型化特征，适应现代电子产品对体积和性能的双重要求。

三、应用领域 STL16N60M2 适用于多种高压和高电流应用场景，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 直流电动机控制
• 高压逆变器
• 照明和LED驱动
• 电源管理和转换应用
• 工业和消费类电子产品

四、性能优势

1. 高能效：低Rds On和高功率额定使得器件在高频开关应用中具有显著的效率优势，降低了热损耗。
2. 高耐压：600V的漏源电压确保其在高电压应用中拥有优秀的可靠性。
3. 高热稳定性：工作的高温范围使得该器件在苛刻环境下仍能保持性能稳定。
4. 兼容性好：广泛的工作电压和电流范围使得其容易集成到各种不同类型的电路中。
5. 紧凑设计：PowerFlat封装不仅可以减少占用空间，同时也能有效散热，降低系统整体热积累。

五、总结 在现代电子应用中，提升系统的能效、减少体积以及兼顾高功率需求是设计师所面临的重要任务。STL16N60M2凭借其出色的电气特性、高功率能力和体积优势，成为了高压开关电路以及电源转换系统的理想选择。得益于其出色的性能、可靠性和广泛的应用领域，STL16N60M2不仅适合工业设备，更是消费类电子产品中的理想方案，为实现高效能能量转换和控制提供了强有力的支持。