STL22N65M5

STL22N65M5 产品概述

产品简介

STL22N65M5 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，适用于高电压和高效率的开关应用。其额定漏源电压为650V，最大连续漏极电流可达15A，适合多种电源管理和转换应用。该器件通过采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)），在提高系统效率的同时，减小了系统的散热需求。

关键参数

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物）
3. 漏源电压（Vdss）: 650V
4. 最大连续漏极电流（Id） @ 25°C: 15A
5. 最大 Rds(on): 210 毫欧 @ 8.5A，10V
6. 阈值电压（Vgs(th)）最大值: 5V @ 250µA
7. 栅极电荷（Qg）最大值: 36nC @ 10V
8. 栅极-源极电压（Vgs）最大值: ±25V
9. 输入电容（Ciss）最大值: 1345pF @ 100V
10. 最大功率耗散: 2.8W（环境温度Ta），110W（结温Tc）
11. 工作温度范围: -55°C 至 150°C
12. 封装类型: PowerFlat™（8x8） HV

应用领域

STL22N65M5 主要适用于高压开关电源、逆变器、电源模块和工业控制系统。其高额定电压和电流传输能力，使其在各类电源转换应用中表现出色，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。具体的应用场景包括但不限于：

• 直流-直流转换器（DC-DC converters）
• 交流-直流逆变器（AC-DC Inverters）
• 励磁控制和电机驱动
• LED 驱动电源
• 再生能源系统，如太阳能和风能转换装置

特性优势

1. 高效率: 该器件的低导通电阻确保了系统在高负载条件下的高效率，减少了在电能转换过程中的能量损失，尤其在大功率应用中表现更为明显。

2. 宽工作温度范围: STL22N65M5 的工作温度范围广，最高可达150°C，确保在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适合严苛的工业应用场景。

3. 表面贴装类型封装: 采用 PowerFlat™（8x8） HV 封装设计，不仅降低了电子设备的体积，还提高了散热效率，适合现代紧凑型电路板设计。

4. 快速开关特性: 拥有较低的栅极电荷，支持快速开关操作，能够减少开关损耗，提升整体系统的运行效率。

总结

STL22N65M5 是意法半导体推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借650V的高压耐受能力和15A的高电流能力，结合低导通电阻和高效能的特点，成为在电源管理中不可或缺的组件。无论是在电源转换、工业控制还是再生能源应用中，均能提供卓越的肆意选择。通过充分发挥其性能优势，设计师可以在开发过程中实现更高的效率、更低的功耗和更高的系统可靠性。