STW48N60M6-4
STW48N60M6-4参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ M6 |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 69毫欧 @ 19.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-4 | 封装/外壳 | TO-247-4 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2578pF @ 100V |
STW48N60M6-4手册
STW48N60M6-4概述
STW48N60M6-4 产品概述
STW48N60M6-4 是意法半导体 (STMicroelectronics) 旗下 MDmesh™ M6 系列的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。该器件专为高压、低导通电阻和快速开关应用而设计，适用于电源管理、逆变器、驱动电路等多种电力电子应用领域。
主要特点
高电流承载能力：STW48N60M6-4 在 25°C 的条件下提供了连续 39A 的漏极电流 (Id)，能够满足高负载电流应用的需求。这种特性使得该 MOSFET 在电流密度较高的环境中依然保持良好性能。
低导通电阻：该器件在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻 (Rds(on)) 为 69毫欧，且在 19.5A 的工作条件下实现。这一低导通电阻特性显著降低了功耗，有助于提高电能转换效率，并降低整体系统热量。
高工作电压：STW48N60M6-4 的漏源电压 (Vdss) 达到 600V，使其能够在高电压条件下工作，适合用于逆变器、大功率开关电源等需要高耐压的应用场景。
宽温度范围：工作温度范围广泛 (-55°C ~ 150°C)，提供了极佳的环境适应性，能够在严苛的工业和汽车应用中稳定运行。这使得 STW48N60M6-4 特别适合于高温环境下的电气设备。
栅极驱动特性：器件的栅源阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 4.75V，适合不同控制电路的驱动要求。此外，栅极电荷 (Qg) 的最大值为 57nC，降低了开关损耗，提高了开关频率的能力。
良好的封装设计：采用 TO-247-4 封装形式，其通孔安装特性不仅易于散热，而且有助于增强器件的机械稳定性，使其适应多种电路板设计。
应用领域
STW48N60M6-4 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：由于其高效能和低功耗，STW48N60M6-4 适合在开关电源中作为主开关和续流二极管使用，能够改善电源的整体效率。
逆变器：在光伏逆变器和电动汽车逆变器中，该MOSFET能够处理高电压和大电流的转化要求。
电机驱动：用于感应电机和步进电机的驱动电路中，STW48N60M6-4 可以提供高效的开关控制和精确的电流调节。
高功率应用：例如 UPS 系统和电能转换设备，STW48N60M6-4 可以增强系统的稳定性和效率，减少冗余的热损耗。
总结
STW48N60M6-4 N 通道 MOSFET 以其卓越的电气特性和广泛的应用能力，成为高压电力电子设计的重要选择。其低导通电阻、高电流承载能力以及高耐压特性，使其在现代电子设备中，尤其是要求高效率和高可靠性的场合，发挥着愈加重要的作用。选择 STW48N60M6-4 能够为电力系统的性能和可靠性提供有效保障，是追求高效能电源解决方案的理想选择。