STU3LN80K5
STU3LN80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.63nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 102pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STU3LN80K5手册
STU3LN80K5概述
STU3LN80K5 产品概述
STU3LN80K5是一款高性能的N通道MOSFET（场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产，其设计旨在满足对高电压、高效率开关应用的需求。这款MOSFET在电子行业中广泛应用，尤其是在电源管理、照明、马达驱动和其他高电压的电气工程应用中。
技术参数与特性
漏源电压（Vdss）：STU3LN80K5能够承受高达800V的漏源电压，这使其能够在严酷的工作条件下运行，能够满足许多高压电器和工业设备的需求。
连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流达到2A。该电流容量支撑其在各种应用中的稳定性与可靠性。
导通电阻（Rds On）：在10V的驱动电压下，其导通电阻最高可达到3.25Ω（在1A条件下），这在降低功耗和发热方面表现优异，从而提高系统效率，延长设备的使用寿命。
阈值电压（Vgs(th)）：在不同的漏极电流条件下，阈值电压的最大值为5V@100µA，确保在合理的栅极电压下能够有效驱动。
栅极电荷（Qg）：栅极电荷的最大值为2.63nC（在10V条件下），较低的栅极电荷有利于提升开关速度，降低开关损耗，适合高频率的开关应用。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散能力为45W，能够在高功率密度的应用中稳定运行，减少故障风险。
工作温度范围：STU3LN80K5可在-55°C至150°C的宽广温度范围内工作，适合在极端环境下的应用。
封装类型：采用TO-251（IPAK）封装，该封装允许充分的散热，有效降低运行温度，同时方便PCB板的安装。
应用领域
STU3LN80K5作为一款高压MOSFET，适合于以下应用场景：
开关电源：其高漏源电压和高效表现使其成为开关电源电路的理想选择，能够提高电源的效率及稳定性。
电机驱动：在电机驱动系统中，MOSFET能够以低导通电阻实现高效率的开关，减少能量损耗，延长电机的使用寿命。
照明控制：在LED驱动应用中，STU3LN80K5能够精准处理高电压以及频繁开关操作，确保光源的一致性和可靠性。
电力电子：该MOSFET也可用于各种电力电子设备中，如UPS、不间断电源系统等，支持高电压的需求。
总结
STU3LN80K5是一个具备800V漏源电压、2A连续漏极电流、低导通电阻和宽工作温度范围的优质N沟道MOSFET。凭借其卓越的性能和可靠性，STU3LN80K5广泛应用于电源管理及各种高压应用。凭借意法半导体的技术积累和对质量的严格把控，该MOSFET在市场上的表现毋庸置疑，能够满足各种现代电子设备对高效率和高可靠性的要求。