STGWT40HP65FB 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGWT40HP65FB

商品编码: BM0045297818
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-3P
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
12.81
按整 :
管(1管有300个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.81
--
10+
¥10.68
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGWT40HP65FB参数

IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80A电流 - 集电极脉冲 (Icm)160A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,40A功率 - 最大值283W
开关能量363µJ(关)输入类型标准
栅极电荷210nC25°C 时 Td(开/关)值-/142ns
测试条件400V,40A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr)140ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装TO-3P

STGWT40HP65FB手册

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STGWT40HP65FB概述

STGWT40HP65FB 产品概述

概述

STGWT40HP65FB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能沟槽型场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该器件设计用于在高电压和高电流应用中提供卓越的开关性能。其额定电压为650V,能够承受高达80A的集电极电流,适用于各种工业和电力电子应用,例如变频器、电机驱动、直流/直流转换器等。

主要特性

  • 电压和电流规格:STGWT40HP65FB 的最大集射极击穿电压为650V,最大集电极电流为80A,具备脉冲电流免受瞬态操作影响的能力,可以达到160A。这使得该元件在负载变化较大的应用中依然表现出色。
  • 低导通压降:该IGBT的导通压降(Vce(on))在特定的栅极电压(Vge)下,与集电极电流(Ic)相关,最大值为2V(在15V 和 40A 下测得)。这种低导通压降有助于提高系统的能效,减少功率损失。
  • 开关特性:开关能量为363µJ(关),反向恢复时间(trr)为140ns,结合较短的开关延迟(Td 在25°C 时为142ns),使得该IGBT特别适合高频开关应用。
  • 热性能:工作温度范围广泛,从-55°C 到 175°C(TJ),赋予该器件在极端环境下的可靠性和稳定性,适合多种苛刻环境下的应用。
  • 类标准输入:作为一个标准输入类型的IGBT器件,STGWT40HP65FB 兼容大多数驱动电路,便于在现有的设计中快速集成。

封装和安装

STGWT40HP65FB 采用 TO-3P 封装,这种封装设计不仅提供良好的散热性能,而且确保在高功率密度应用中的稳定运行。通孔式安装(Through-Hole)设计简化了安装过程,适用于多种PCB设计。

应用领域

该IGBT器件广泛应用于以下几个领域:

  1. 电机驱动:在工业电机控制和电动汽车领域,STGWT40HP65FB 可用于驱动高功率电机,提升能效和响应速度。

  2. 变频器:作为变频器的核心元件之一,它帮助实现高效的频率转换,并提高系统的整体性能。

  3. 可再生能源:该IGBT可用于太阳能逆变器和风能发电系统中,提高电能转换效率,促进可再生能源的使用。

  4. 电力电子转换:在DC-DC和DC-AC转换器中,STGWT40HP65FB 是实现高效电能转换的理想选择。

结论

STGWT40HP65FB 作为一款高效、可靠的高压IGBT器件,凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为现代电力电子系统中不可或缺的元件。其低导通压降、快速开关特性和广泛的工作温度范围,确保其在复杂的工业环境中依然能够稳定工作。选择 STGWT40HP65FB,不仅可以提高系统的能源效能,还能够缩短设计周期、降低整机成本。