CRTD055N03L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CRTD055N03L

商品编码: BM0045297817
品牌 : 
CRMICRO(华润微)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 71W 30V 50A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.845
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.845
--
100+
¥0.564
--
1250+
¥0.513
--
2500+
¥0.475
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

CRTD055N03L参数

功率(Pd)71W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,25A漏源电压(Vdss)30V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA

CRTD055N03L手册

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CRTD055N03L概述

CRTD055N03L 产品概述

产品名称:CRTD055N03L
类型:N沟道MOSFET
封装形式:TO-252
品牌:CRMICRO(华润微)
最大栅源电压:±20V
额定电流:50A
最大漏源电压:30V
功率耗散:71W

一、产品背景

CRTD055N03L是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为高电流及低电压应用而设计。作为电子设备中至关重要的开关元件,MOSFET在电路中起到了控制电流流动的作用。华润微作为一家领先的半导体制造商,其MOSFET产品因性能稳定、可靠性高而受到广泛应用。

二、主要特性

  1. 高电流承载能力:CRTD055N03L最大漏极电流可达50A,适应高功率应用场合,能够在瞬时负载变化下保持稳定。

  2. 低导通电阻:该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),这使其在额定条件下具有较小的功率损耗,从而提高整体能效。低导通电阻对于减少热量积累、提高器件寿命至关重要。

  3. 高功率耗散能力:最大功耗可达71W,使得CRTD055N03L能够在较高功率条件下稳定工作,适合工业和自动化领域的各种应用需求。

  4. 紧凑的封装设计:TO-252封装不仅有助于散热,还使得整体电路设计更加灵活,易于在空间有限的环境中使用。

  5. 宽工作温度范围:产品设计考虑到在不同环境温度下的性能稳定,适应多种应用场景。

三、应用领域

由于其优异的电性能及耐用特性,CRTD055N03L适用于以下领域:

  1. DC-DC变换器:在开关电源中,MOSFET用于高效的电能转换,能够降低能量损耗,提高转化效率。

  2. 电动汽车:在电动汽车的动力系统中,MOSFET用于电机驱动和电力管理。

  3. 工业控制:在自动化设备和机器人中,MOSFET可作为开关控制器,确保系统快速反应与高效运行。

  4. LED驱动:在LED照明驱动电路中,MOSFET帮助实现高效能驱动,提升灯具性能。

  5. 家电应用:用于洗衣机、冰箱等多种电气控制装置中,提高能效与控制精准度。

四、典型应用电路

CRTD055N03L在典型应用电路中常用作开关。通过调节栅极信号,可以控制连接负载的电流通断。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET导通,电流通过负载;而当栅极电压低于阈值时,MOSFET关断,切断电流。此特性使得MOSFET在各种开关电源及电机驱动中扮演了关键角色。

五、结论

总之,CRTD055N03L是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性和灵活的应用前景,成为众多电子设计工程师的优选元器件。无论是在电源管理、驱动控制还是高功率电路中,CRTD055N03L均能满足严格的性能要求,为客户提供卓越的解决方案。随着电子产品对高效率和小型化的不断追求,CRTD055N03L定将在未来的电力电子市场中发挥更大的作用。