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IRFB7734PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 290W 75V 183A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.1按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.1
--
100+
￥4.88
--
1000+
￥4.52
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB7734PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 183A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 270nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10150pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 290W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7734PBF手册
无数据
IRFB7734PBF概述
产品概述: IRFB7734PBF
IRFB7734PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，由英飞凌 (Infineon) 提供，专为高功率和高效率应用而设计。其优越的电气特性和优良的散热性能使其成为电源管理、逆变器、和电动机驱动等领域的理想选择。
重要参数
漏源电压（Vdss）: 75V
- 此参数表示该 MOSFET 可承受的最大漏极至源极电压，75V 的电压等级适合于许多中等电压应用。
连续漏极电流（Id）: 183A (Tc)
- 表示在最高环境和冷却条件下，该器件能够承受的最大连续漏极电流。183A 的大电流能力适用于高负载的应用场景。
导通电阻（Rds On）: 3.5 毫欧（@ 100A，10V）
- 低导通电阻意味着在通电过程中损失的功率较小，有利于提高系统的整体效率和降低热量产生。
驱动电压（Vgs）: 6V 至 10V
- 在此电压范围内，可以确保 MOSFET 以最低的导通电阻进行有效开关。这为驱动电路设计提供了灵活性。
输入电容（Ciss）: 10150pF (@ 25V)
- 输入电容相对较高，适合于高频切换应用，但同时会增加开关损耗，因此在设计开关频率时需加以考虑。
工作温度: -55°C ~ 175°C
- 该 MOSFET 具有极宽的工作温度范围，适合于极端环境下的应用，例如汽车、航空航天及工业领域。
功率耗散（Pd）: 290W (Tc)
- 使得该 MOSFET 在高负载下的散热能力强，能够满足高功率应用的需求。
封装: TO-220AB
- TO-220 封装设计优化了散热性能，适合于需要可靠热管理的应用。
应用场景
IRFB7734PBF 是一款广泛适用于各种电源管理和驱动电路的组件。以下是一些典型的应用场景：
DC-DC 转换器: 在高频开关电源设计中，低导通电阻和良好的热管理能力使得 IRFB7734PBF 适合作为开关元件，提高转换效率。
电机驱动: 该器件能够承受高电流，适合用于高功率电机的驱动，如无刷直流电机和步进电机驱动器，有助于提高电机驱动系统的性能。
逆变器应用: 在太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中，IRFB7734PBF 可提供高效的电能转换，适用性强且稳定性高。
汽车电子: 由于其良好的温度容忍度和高可靠性，广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电力转换和驱动系统中。
总结
IRFB7734PBF 作为英飞凌推出的一款高效高功率 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、广泛的工作温度范围以及适合多种应用场景的能力，为设计工程师提供了极大的便利和可靠性。在现代电子产品中，其出色的性能为提高效率和降低损耗提供了稳定的保障，是各种高性能应用的一项重要选择。